Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1 3 상 BLDC 게이트 드라이버
Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1 3 상 BLDC 게이트 드라이버는 각각 하이 측 및 로우 측 N- 채널 전력 MOSFET을 구동할 수 있는 3 개의 장치를 제공합니다. DRV8329 드라이버는 내부 충전 펌프를 사용하여 올바른 게이트 드라이브 전압을 생성하고 부트스트랩 회로를 사용하여 하이 측 MOSFET을 향상시킵니다. 또한 100% 듀티 사이클을 제공하기 위해 트리클 충전 펌프가 포함되어 있습니다.
이 게이트 드라이브의 아키텍처는 최대 1 A 소스 및 2 A 싱크의 피크 게이트 드라이브 전류를 유지합니다. TI DRV8329/DRV8329-Q1 게이트 드라이버는 단일 전원 공급 장치로 작동할 수 있으며 4.5~60V의 넓은 입력 공급 범위를 지원합니다. DRV8329/DRV8329-Q1의 6x 및 3x PWM 모드를 사용하면 컨트롤러 회로와 간단히 연동할 수 있습니다. 이 장치에는 외부 컨트롤러에 전원을 공급할 수 있는 정확한 3.3V LDO와 CSA용 레퍼런스가 통합되어 있습니다. 장치의 구성 설정은 하드웨어(H/W) 핀을 통해 구성할 수 있습니다. DRV8329/DRV8329-Q1 장치는 로우 측 전류 감지 증폭기를 통합하여 구동 단계의 3개 위상 모두에서의 전류 합계를 감지할 수 있습니다.
대부분의 내부 회로를 차단하여 낮은 대기 전류를 달성하기 위해 저전력 절전 모드가 제공됩니다. 이 장치에는 부족전압 록아웃, GVDD 오류, MOSFET 과전류, MOSFET 단락 및 과열에 대한 내부 보호 기능이 있습니다. 결함 조건은 nFAULT 핀에 표시됩니다.
DRV8329-Q1은 자동차 애플리케이션에 대해 AEC-Q100 인증을 받았습니다.
특징
- 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100 인증:
- -40°C~125°C, TA 온도 등급 1
- 65 V 3상 하프 브리지 게이트 드라이버
- 3개의 하이 측 및 3개의 로우 측 N-채널 MOSFET(NMOS) 구동
- 4.5~60V 작동 전압 범위
- 세류 충전 펌프로 100% PWM 듀티 사이클 지원
- 부트스트랩 기반 게이트 드라이버 아키텍처
- 1,000mA 최대 피크 소스 전류
- 2,000mA 최대 피크 싱크 전류
- 낮은 입력 오프셋이 있는 통합 전류 감지 증폭기(1 션트에 최적화)
- 조절 가능한 이득(5V, 10V, 20V, 40V/V)
- 간단한 구성을 제공하는 하드웨어 인터페이스
- +25°C에서 1uA 미만의 초저전력 절전 모드
- 위상 간 전파 지연 정합: 4ns(일반)
- 독립적인 드라이버 종료 경로(DRVOFF)
- 65V 허용 웨이크 핀(nSLEEP)
- SHx에서 최대 -10V의 네거티브 과도 전류 지원
- 6x 및 3x PWM 모드
- 3.3V 및 5V 로직 입력 지원
- 정확한 LDO(AVDD), 3.3V ±3%, 80mA
- 콤팩트한 QFN 패키지 및 설치 공간
- VDSVL 핀을 통해 조정 가능한 VDS 과전류 임계값
- DT 핀을 통한 조정 가능한 데드타임
- 전력 블록으로 효율적인 시스템 설계
- 통합 보호 기능
- PVDD 부족전압 로크아웃(PVDDUV)
- GVDD 부족전압(GVDDUV)
- 부트스트랩 부족 전압(BST_UV)
- 과전류 보호(VDS_OCP, SEN_OCP)
- 열 차단(OTSD)
- 결함 상태 표시기(nFAULT)
애플리케이션
- BLDC(무브러시 DC) 모터 모듈 및 PMSM
- 무선 정원 및 전동 공구, 잔디 깎는 기계
- 가전제품, 팬 및 펌프
- 서보 드라이브
- 전동 바이크, 전동 스쿠터, E-모릴리티
- 무선 진공청소기
- 드론
- 산업 및 물류 로봇, RC 장난감
블록 선도
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Texas Instruments DRV8329AEVM 게이트 드라이버 평가 모듈
BLDC 모터용 DRV8329A 게이트 드라이버를 기반으로 하는 30A, 3상 무브러시 DC 구동단입니다.
게시일: 2022-12-19
| 갱신일: 2025-05-08