TE Connectivity BDS 후막 고출력 저항기

TE Connectivity's (TE) BDS Thick Film High Power Resistors deliver 1000W and 2000W power dissipation capability in a 76mm x 76mm case designed for easy mounting. These resistors offer high power density over a wide 500mΩ to 1000Ω impedance range, ±10% resistance tolerance, and 2000VDC maximum operating voltage. The construction features two easy-to-connect terminals and quality materials for enhanced reliability and stability with low partial discharge. The BDS series from TE operates in a -55°C to +85°C temperature range and is ideal for use in high-frequency applications, providing component protection and safety. Typical applications include power semiconductor balancing motor control, inrush current limiting, battery energy storage systems, and semiconductor machinery.

특징

  • 최대 2,000W의 높은 전력 손실 성능이 필요한 로드 장치에 효율적인 성능 제공
  • 작은 설치 공간으로 PCB 크기 최소화 가능
  • 고전압에서 고장을 방지하는 더 높은 전기 강도
  • 낮은 인덕턴스
  • 고주파 애플리케이션에 사용하기에 적합
  • 전기 절연 저항기 소자
  • 구성 요소의 안전 및 보호 기능 제공
  • 연결하기 쉬운 단자 2개

애플리케이션

  • 전력 반도체 밸런싱
  • 모터 제어
  • 돌입 전류 제한
  • 모션 및 드라이브
  • 배터리 에너지 저장 시스템
  • 전기차 산업
  • 반도체 장비

사양

  • 1,000W 및 2,000W 정격 전력(+85°C 장착 플레이트)
  • 임피던스 범위: 500mΩ~1,000Ω
  • ±10% 저항 공차
  • 최대 작동 전압: 2,000VDC
  • 표준 유전체 강도: 6 kV
  • 76mm x 76mm 케이스 크기
  • -55 °C~+85 °C 온도 범위

정격 감소 곡선

성능 그래프 - TE Connectivity BDS 후막 고출력 저항기

Infographic

인포그래픽 - TE Connectivity BDS 후막 고출력 저항기
게시일: 2024-08-15 | 갱신일: 2025-12-17