STMicroelectronics TN8050H-12WL 고온 SCR 사이리스터
STMicroelectronics TN8050H-12WL 고온 SCR 사이리스터는 모터 스타터 및 전원장치와 같이 게이트 전류가 낮으면서 높은 내성이 요구되는 산업용 애플리케이션에 적합합니다. 1,400V의 서지 능력을 갖춘 STMicroelectronics TN8050H-12WL SCR은 재생 에너지 인버터 및 UPS(무정전 전원 장치)와 같은 네트워크 애플리케이션에 한층 강화된 견고함을 제공합니다. 이 장치는 후면 양극과 수지 모서리를 적용한 고연면거리 TO-247LL 패키지로 제공되며, 안전 표준을 준수할 수 있도록 최대 6.8mm의 추가 연면 거리를 제공합니다. TN8050H-12WL SCR은 최대 80ARMS의 산업용 애플리케이션에도 적합합니다.
특징
- 1,200V 최대 블로킹 전압
- 1,400V 최대 서지 전압
- 50mA 최대 IGT
- +150°C에서 높은 정적 및 동적 커뮤테이션 성능
- 1500V/μs dV/dt
- 200A/µs dI/dt
- +150°C 최고 접합부 온도(800V)
- 전도 냉각
- ECOPACK2 구성품(RoHS 및 HF 준수)
- 고연면거리 TO247 롱리드 패키지
- UL 94, V0 등급 수지 규격 준수
애플리케이션
- 태양광
- 풍력 재생 에너지 인버터
- SSR(무접점 계전기)
- UPS(무정전 전원 장치)
- 산업용 SMPS
- 바이패스 스위치
- AC-DC ICL(돌입 전류 제한 회로)
- AC-DC 전압 제어 정류기
- 배터리 충전기
- 산업용 용접 시스템
- 모터 드라이브용 소프트 스타터
- 난방 시스템
사양
- 최대 반복 피크 오프 상태 전압(50/60Hz)
- 1 200 V에서 +125 °C
- 800 V에서 +150 °C
- 1,400V 최대 비반복 서지 전압
- 최대 80A의 온 상태 RMS 전류(180° 도통각)
- 최대 51A의 온 상태 평균 전류(180° 도통각)
- 최대 비반복 서지 피크 온 상태 전류
- tp = 8.3ms일 때 745A
- tp = 10ms일 때 680A
- 20µs, +150°C에서 최대 피크 정방향 게이트 전류
- 8 A 전류
- 5 V 전압
- 퓨징을 위한 최대 I2t 값: 2312A2s
- 200μA/μs 최대 온 상태 전류 상승률
- 1W 최대 평균 게이트 전력 손실
- 3.5V 최대 피크 역방향 게이트 전압
- 0.85V 최대 임계 전압
- 8.6mΩ 최대 동적 저항
- 열 저항
- 0.35°C/W 최대 접합부-케이스 열저항
- 50°C/W(표준) 접합부-주변 열저항
- 작동 접합부 온도 범위: -40°C~+150°C
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STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2025-12-22
| 갱신일: 2026-01-06