STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-채널 전력 MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-채널 전력 MOSFET은 최고의 MDmesh K6 기술을 사용하여 설계된 초고전압 N-채널 전력 MOSFET입니다. 이 기술은 초접합 기술 분야에서 STMicroelectronics의 20년 경험을 기반으로 합니다. 그 결과 우수한 전력 밀도와 고효율을 요구하는 애플리케이션을 위한 영역 및 게이트 전하당 동급 최고의 온 상태 저항을 얻을 수 있습니다.
특징
- 우수한 RDS(on) x 면적
- 탁월한 FOM(성능 지수)
- 초저 게이트 전하량
- 100% 애벌랜치 테스트 통과
- 제너 보호
애플리케이션
- 플라이백 컨버터
- 태블릿, 노트북, AIO용 어댑터
- LED 조명
절대 최대 정격
관련 MOSFET
STMicroelectronics N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET
800V, 제너 보호, 100% Avalanche 테스트를 거쳤으며, 플라이백 컨버터와 LED 조명에 이상적입니다.
설계 완성하기
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2022-10-17
| 갱신일: 2024-06-25