STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2 전력 MOSFET
STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2 전력 MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 최적화된 스위칭 특성을 제공하는 N-채널 전력 MOSFET입니다. 이 전력 MOSFET은 MDmesh M2 기술을 사용하여 개발되었습니다. STN6N60M2 MOSFET은 극히 낮은 게이트 전하량과 우수한 출력 정전용량(Coss) 프로파일을 제공합니다. 이 전력 MOSFET은 제너 보호 및 100% 애벌랜치 테스트를 거친 제품입니다. STN6N60M2 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 매우 낮은 게이트 전하
- 우수한 출력 정전용량(Coss) 프로파일
- 100% 애벌랜치 테스트 통과
- 제너 보호
사양
- 게이트 소스 전압: ±25VGS
- 드레인 전류: TC = 25°C에서 5.5A
- 드레인 전류: TC = 100°C에서 3.5A
- 드레인 전류(펄스): 8A
- 총 전력 손실: 6W
- 작동 접합 온도 범위: -55~150°C
개요
설계 완성
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2020-08-10
| 갱신일: 2025-01-14