STMicroelectronics DM6 N 채널 전력 MOSFET
STMicroelectronics DM6 N 채널 전력 MOSFET 는 MDmesh™ DM6 고속 복구 다이오드입니다. 이 자동차 등급 N 채널 전력 MOSFET는 매우 낮은 복구 전하(Qrr) 및 복구 시간(trr)과 낮은 RDS(on)를 제공합니다. 이 DM6 전력 MOSFET는 낮은 게이트 전하, 낮은 입력 정전용량, 낮은 온 저항, 높은 dv/dt 내구성 및 제너 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이 전력 MOSFET는 가장 까다로운 고효율 컨버터에 적합하며 브리지 토폴로지 및 ZVS 위상 변이 컨버터에 이상적입니다.
특징
- 고속 회복 바디 다이오드
- 이전 세대 대비 면적당 더 낮은 RDS(on)
- 낮은 게이트 전하, 입력 정전용량 및 저항
- 100% 애벌랜치 테스트 통과
- 극히 높은 dV/dt 내구성
- 제너 보호
- AEC-Q101 인증
애플리케이션
- 고효율 컨버터
- 브리지 토폴로지
- ZVS 위상 전이 컨버터
- 스위칭
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매우 낮은 복구 전하(Qrr) 및 시간(trr)과 낮은 RDS(on)를 제공합니다.
전기적 특성
Complete Your Design
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2018-07-23
| 갱신일: 2026-01-21