STMicroelectronics GANSPIN611 GaN 고전력 밀도 하프 브리지
STMicroelectronics GANSPIN611 GaN 고전력 밀도 하프 브리지는 최첨단 고전압, 고주파 게이트 드라이버로 구동되는 하프 브리지 구성에 두 개의 증가 모드 GaN 트랜지스터를 통합한 고급 전력 시스템 인 패키지입니다. 통합 전력 GaN은 138 mΩ의 RDS (ON)와 650 V 드레인-소스 항복 전압을 제공하는 반면, 통합 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 원활하게 공급할 수 있습니다.
모션 제어용으로 설계된 GANSPIN611은 하드 온/오프 시 출력 dV/dt를10V/ns(통상)로 최적화합니다. 이 기능은 EMI, 모터 권선 및 볼 베어링 안정성을 위해 모터 제어에 필요합니다. 견고함과 신뢰성 또한 GaNSPIN 시리즈의 특징적인 요소입니다. 고급 보호 기능을 내장한 GaNSPIN 장치는 이상적인 시스템 견고성을 보장합니다. SmartShutdown 과전류 보호 기능은 내장된 로직과 전용 고속 비교기를 통해 빠른 응답을 제공합니다.
STMicroelectronics GANSPIN611은 9mm x 9mm x 1mm 크기의 소형 QFN 패키지로 제공되며 -40°C~+125°C의 산업용 온도 범위에서 작동합니다. GaNSPIN611은 플랫폼 접근 방식에서 확장성을 극대화하기 위해 GaNSPIN612[RDS(ON) 270mΩ]와 핀 투 핀으로 연결됩니다.
특징
- 고전압 게이트 드라이버와 하프 브리지 구성의 고전압 GaN 트랜지스터를 통합한 전력 시스템 인 패키지 제품군
- RDS(ON) = 138mΩ
- IDS(MAX) = 10A
- 역전도 기능 및 역회복 손실 제로
- 모터 제어에 맞게 조정된 하드 온 및 하드 오프에서 모두 10V/ns(일반) 출력 dV/dt
- 하이 사이드 및 로우 사이드 드라이버 공급 전압을 조절하는 선형 레귤레이터
- 외부에서 조정 가능한 턴온 dV/dt
- 내부 부트스트랩 다이오드
- 스마트 셧다운 기능이 있는 과전류 감지용 비교기
- VCC, VHS, VLS의 UVLO 보호
- 연동 기능, 셧다운, 대기 및 고장 핀
- 55ns 게이트 드라이버로 인해 전체 출력 전파 지연은 150ns(일반)
- 3.3 V ~ 20 V 호환 입력(히스테리시스 및 풀다운 기능 제공)
애플리케이션
- 가전 제품
- 컴프레서
- 펌프
- 팬
- 퍼스널 케어 가전제품
- 공장 자동화
- 서보 드라이브
- 전동 공구
블록 선도
관련 질화갈륨 모터 드라이버
STMicroelectronics GANSPIN612 하프 브리지 GaN 모터 드라이버
모션 제어 시스템의 특수한 요구 사항을 충족하도록 특별히 설계되었습니다.
보드
STMicroelectronics EVLGANSPIN1-3PH 기준 설계 보드
GANSPIN611 하프 브리지 GaN 시스템 인 패키지 & STM32G431RB (ARM Cortex-M4 MCU 포함)를 기반으로 합니다.
설계 완성하기
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2025-10-29
| 갱신일: 2026-03-11