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ROHM Semiconductor 소신호 듀얼 채널 MOSFET

ROHM Semiconductor 소형 신호 듀얼 채널 MOSFET는 낮은 온저항과 빠른 스위칭을 특징으로 합니다.   이 MOSFET은 RoHS를 준수하며 무연 도금이 포함되어 있습니다. 듀얼 채널 MOSFET은 -55°C ~ 150°C 온도 범위에서 작동합니다. 이러한 MOSFET은 모터 드라이브 및 스위칭 애플리케이션에 사용됩니다.

특징

  • 낮은 온-저항
  • 빠른 스위칭
  • 작동 온도 범위: -55 °C~+150 °C
  • 무할로겐
  • 무연 도금
  • RoHS 준수
  • 100% Rg 및 UIS 테스트 완료

애플리케이션

  • 스위칭
  • 모터 드라이브

전력 손실 감소 곡선

성능 그래프 - ROHM Semiconductor 소신호 듀얼 채널 MOSFET
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부품 번호 데이터시트 Id - 연속 드레인 전류 Qg - 게이트 전하 Rds On - 드레인 소스 저항 상승 시간 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 표준 턴-온 지연 시간 표준 턴-오프 지연 시간 트랜지스터 극성 Pd - 전력 발산
AW2K21AR AW2K21AR 데이터시트 20 A 29 nC 3 mOhms 5.9 ns 30 V - 2 V, 10 V 2 V 8.9 ns 487 ns N-Channel 1.6 W
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 데이터시트 18.5 A 20 nC 62 mOhms 11 ns 150 V 24 V 4 V 7.1 S 19 ns 40 ns N-Channel 26 W
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 데이터시트 7 A 6.4 nC 214 mOhms 9.1 ns 150 V 20 V 4 V 2.5 S 11 ns 19 ns N-Channel 14 W
HT8MB5TB1 HT8MB5TB1 데이터시트 12 A, 15 A 3.5 nC, 16.7 nC 47 mOhms, 56 mOhms 4.7 ns, 29 ns 40 V, 40 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.1 S, 6 S 5 ns, 9.6 ns 11 ns, 86 ns N-Channel, P-Channel 13 W
HT8MC5TB1 HT8MC5TB1 데이터시트 10 A, 11.5 A 3.1 nC, 17.1 nC 90 mOhms, 109 mOhms 5 ns, 17 ns 60 V, 60 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.3 S, 5 S 5.3 ns, 9.7 ns 13 ns, 91 ns N-Channel, P-Channel 13 W
R8011KNZ4C13 R8011KNZ4C13 데이터시트 11 A 37 nC 450 mOhms 25 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 25 ns 70 ns N-Channel 139 W
R8019KNZ4C13 R8019KNZ4C13 데이터시트 19 A 65 nC 265 mOhms 50 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 35 ns 110 ns N-Channel 208 W
RS6E122BGTB1 RS6E122BGTB1 데이터시트 155 A 50 nC 2.16 mOhms 19 ns 30 V 20 V 2.5 V 55 S 31 ns 66 ns N-Channel 89 W
HT8MD5HTB1 HT8MD5HTB1 데이터시트 9 A, 8.5 A 3.1 nC, 17.2 nC 112 mOhms, 191 mOhms 5 ns, 7 ns 80 V, 80 V 20 V, 20 V 4 V, 4 V 1.8 S, 3 S 5.8 ns, 9.4 ns 12 ns, 74 ns N-Channel, P-Channel 13 W
RD3N03BATTL1 RD3N03BATTL1 데이터시트 30 A 50 nC 64 mOhms 15 ns 80 V 20 V 4 V 13.4 S 15 ns 225 ns P-Channel 54 W
게시일: 2025-06-15 | 갱신일: 2025-07-02