ROHM Semiconductor RS6N120BH N 채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RS6N120BH N 채널 전력 MOSFET은 고효율 작동을 위한 구리 클립 구조를 특징으로 하는 콤팩트한 저손실 MOSFET입니다. 이 시스템은 패키지 저항을 줄이면서 전류 용량을 증가시킵니다. 이 기능 덕분에 RS6N120BH는 24V/36V/48V 전원 공급 장치에서 작동하는 드라이브 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 스위칭 애플리케이션에 이상적임
- 고출력 5mm x 6mm x 1mm HSOP8S 구리 클립 패키지
- 낮은 온 상태 저항과 게이트 전하 정전용량(균형 관계)을 동시에 구현하여 에너지 손실 최소화
- 표면 실장
- 강화 모드
- 무연 도금
- 100% Rg 및 UIS 테스트 완료
- 무할로겐 및 RoHS 준수
애플리케이션
- 스위칭 애플리케이션
- 서버 및 기지국용 전원 공급 장치
- 각종 모터 구동 장비(산업용/소비자용)
사양
- 단자 8개
- 80V 드레인-소스 항복 전압
- 58mV/°C 표준 항복 전압 온도 계수
- ±135A 연속 드레인 전류
- ±540A 펄스 드레인 전류
- ±20V 게이트-소스 전압
- 총 게이트 전하 범위: 33nC~53nC(표준)
- 1.3Ω 표준 게이트 저항
- 104W 전력 손실
- 6V 드라이브 전압
- 1.2V 최대 순방향 전압
- 제로 게이트 전압 드레인 전류: 5µA(최대)
- 단일 펄스 애벌랜치 전류: 30A
- 단일 펄스 애벌랜치 에너지: 74mJ
- 순방향 전송 어드미턴스: 42S(최소)
- 3420pF 표준 입력 정전용량
- 1020pF 표준 출력 정전용량
- 35pF 표준 역방향 전송 정전용량
- 32ns 표준 턴-온 지연 시간
- 47ns 표준 상승 시간
- 73ns 표준 턴-오프 지연 시간
- 35ns 표준 하강 시간
- -55°C~+150°C 작동 온도 범위
내부 회로
구조 비교
게시일: 2023-05-15
| 갱신일: 2023-05-19