ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET은 100V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±40A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다. 드레인-소스 온 상태 저항[RDS(ON)]은 13.8mΩ(최대)(VGS = 10V, ID = 20A)이며, 3.3mm × 3.3mm DFN-8(DFN3333T8LSAB) 패키지로 제공됩니다. ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템), 정보, 조명 및 차체 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 습식 플랭크 제품
- AEC-Q101 인증
- 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
애플리케이션
- ADAS
- 정보
- 조명
- 차체
사양
- 드레인-소스 온 상태 저항 [RDS(ON)]
- 13.8mΩ(최대) (VGS = 10V, ID = 20A)
- 19.4mΩ(최대) (VGS = 4.5V, ID = 10A)
- 75W 전력 손실(PD)
- 총 게이트 전하(Qg)
- 19.8nC(표준) (VDD = 50V, ID =10A, VGS = 10V)
- 10.9nC(표준) (VDD =50V, ID = 10A, VGS = 4.5V)
- +175°C 접합 온도(Tj)
회로 선도
패키지 다이어그램
게시일: 2025-07-25
| 갱신일: 2025-08-19