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ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET

ROHM SemiconductorRH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET은 40V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±40A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 낮은 드레인-소스 온 상태 저항[RDS(ON)]을 특징으로 하며 3.3mmx3.3mm DFN-8(DFN3333T8LSAB) 패키지로 제공됩니다. ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템), 정보, 조명 및 차체 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • 습식 플랭크 제품
  • AEC-Q101 인증
  • 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과

애플리케이션

  • ADAS
  • 정보
  • 조명
  • 차체

사양

  • 드레인-소스 온 상태 저항 [RDS(ON)]
    • RH7G04BBKFRA
      • 3.1mΩ(최대) (VGS = 10V, ID = 20A)
      • 5.8mΩ(최대) (VGS =4.5V, ID = 10A)
    • RH7G04CBLFRA
      • 5.8mΩ(최대)(VGS =10V, ID = 20A)
      • 8.7mΩ(최대)(VGS =4.5V ID = 10A)
    • RH7G04DBKFRA
      • 12.6mΩ(최대)(VGS =10V, ID = 20A)
      • 23.9mΩ(최대)(VGS =4.5V, ID = 10A)
  • 전력 손실(PD)
    • RH7G04BBKFRA - 75 W
    • RH7G04CBLFRA - 62 W
    • RH7G04DBKFRA - 33 W
  • 총 게이트 전하(Qg)
    • RH7G04BBKFRA
      • 26.8nC(일반)(VDD = 20V, ID = 10A, VGS = 10V)
      • 13.5nC(일반) (VDD = 20V, ID = 10A, VGS = 4.5V)
    • RH7G04CBLFRA
      • 17.7nC(일반) (VDD = 20V, ID = 10A, VGS = 10V)
      • 8.9nC(일반)(VDD = 20V, ID = 10A, VGS = 4.5V)
    • RH7G04DBKFRA
      • 7.6nC(일반)(VDD = 20V, ID = 10A, VGS = 10V)
      • 4.2nC(일반)(VDD =20V, ID = 10A, VGS = 4.5V)

회로 선도

계통도 - ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET

패키지 다이어그램

기계 도면 - ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
게시일: 2025-07-24 | 갱신일: 2025-08-19