ROHM Semiconductor RBx8 SCHOTTKY 배리어 다이오드
실리콘 에피택셜 평면 구조의 ROHM Semiconductor RBx8 SCHOTTKY 배리어 다이오드는 최대 1A 평균 정류 순방향 전류를 제공합니다. 이 다이오드는 고신뢰성, 낮은 IR, 최대 5A 피크 순방향 서지 전류가 특징입니다. RBx8 SCHOTTKY 배리어 다이오드는 -55°C~+150°C 온도 범위에서 보관할 수 있습니다. 이 다이오드는 일반 정류 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 최대 1A 평균 정류 순방향 전류
- 고신뢰성
- 낮은 IR
- 최대 5A 순방향 피크 서지 전류
- -55°C~+150°C 저장 온도 범위
- AEC-Q101 인증(RB178VYM-40FH, RB178VYM-60FH, RB568VYM150FH 및 RB588VYM100FH)
- 일반 정류에 이상적
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| 부품 번호 | If - 순방향 전류 | If - 순방향 서지 전류 | Ir - 역 전류 | Vf - 순방향 전압 | Vr - 역 전압 | Vrrm - 반복 역 전압 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RB178VAM-40TR | 1 A | 5 A | 300 nA | 790 mV | 40 V | 40 V |
| RB178VYM-40FHTR | 1 A | 5 A | 300 nA | 790 mV | 40 V | 40 V |
| RB568VAM150TR | 500 mA | 3 A | 400 nA | 950 mV | 150 V | 150 V |
| RB568VYM150FHTR | 500 mA | 3 A | 400 nA | 950 mV | 150 V | 150 V |
| RB588VAM100TR | 700 mA | 150 nA | 850 mV | 100 V | 100 V | |
| RB588VYM100FHTR | 700 mA | 5 A | 150 nA | 850 mV | 100 V | 100 V |
| RB178VAM-60TR | 1 A | 5 A | 800 nA | 820 mV | 60 V | 60 V |
| RB178VYM-60FHTR | 1 A | 5 A | 800 nA | 820 mV | 60 V | 60 V |
게시일: 2025-05-20
| 갱신일: 2025-06-26