ROHM Semiconductor HP8K/HT8K 이중 채널 강화 모드 MOSFET
ROHM Semiconductor HP8K/HT8K 이중 채널 강화 모드 MOSFET은 이중 N-채널 또는 N-채널/P-채널 트랜지스터 극성을 제공합니다. HP8K 및 HT8K MOSFET은 낮은 온 저항과 에너지 절감을 제공하는 소형 표면 실장 HSMT8 및 HSOP8 후면 열 발산 이중 패키지로 제공됩니다. 단상/3상 브러시리스 모터 드라이브 또는 스위칭 작동에 사용됩니다.
특징
- 낮은 온 저항
- 소형 HSMT8 및 HSOP8 표면 실장 패키지
- 고전력
- Si 기술
- 무연 도금
- 무할로겐 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 스위칭
- 모터 드라이브
사양
- 100V 드레인-소스 전압
- ±2.5A ~ ±24A 연속 드레인 전류 범위
- ±10A ~ ±40A 펄스 드레인 전류 범위
- ±20V 게이트-소스 전압
- 2.5V 게이트-소스 임계 전압
- 2.5A ~ 10.0A 애벌랜치 전류 범위, 단일 펄스
- 0.45mJ ~ 8.0mJ 애벌랜치 에너지 범위, 단일 펄스
- 전력 손실 범위: 2W ~ 26W
- 1.9Ω ~ 17Ω 게이트 저항 범위
- 1.6S ~ 9S 최소 순방향 전송 인덕턴스 범위
- 27.8mΩ ~ 303mΩ 온 드레인-소스 저항 범위
- 2.9 ~ 19.8nC 게이트 충전 범위
- 표준 정전 용량
- 90pF, 305pF 또는 1100pF 입력 옵션
- 25pF, 80pF 또는 215pF 출력 옵션
- 4pF, 6pF 또는 12pF 역방향 전송 옵션
- 표준 지연 시간 범위
- 6ns ~ 15ns 턴온 범위
- 13ns ~ 98ns 턴오프 범위
- 6ns ~ 22ns 상승 시간 범위
- 5ns ~ 50ns 하강 시간 범위
- -55°C ~ +150°C 작동 접합 온도 범위
인포그래픽
게시일: 2023-08-15
| 갱신일: 2025-01-09