ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 평가 키트
ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 평가 키트는 고속 게이트 드라이버와 질화갈륨(GaN) HEMT를 단일 패키지에 통합한 BM3G005MUV 650V 질화갈륨(GaN) 전력단 IC를 평가하도록 설계된 콤팩트하고 효율적인 플랫폼입니다. 이 ROHM Semiconductor 평가 보드는 고주파 스위칭을 지원하며 토템폴 PFC(역률 보정) 및 하프 브리지 컨버터와 같은 하드 스위칭 토폴로지의 테스트에 최적화되어 있습니다. 이 키트를 통해 사용자는 스위칭 동작, 열 특성 및 EMI 성능을 비롯한 주요 성능 지표를 평가할 수 있습니다. 소형 폼 팩터와 고출력 밀도를 갖춘 BM3G005MUV-EVK-003 키트는 효율성, 속도, 공간 절약이 중요한 차세대 AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 통신 전원장치, 산업용 전원 시스템, 소형 어댑터 개발에 이상적입니다.
특징
- BM3G005MUV 질화갈륨(GaN) FET, 650V, 50mΩ
- 6.83~35V 전력 공급 전압 범위
- 650 V 드레인 전압
- 0.24mA 최대 VDD 대기 전류
- 22V/ns 일반 턴온 슬루율
- 작동 온도 범위: -40 °C~++105 °C
- 입력 임계값
- 2.35~3.05V 양의 진행 범위
- 0.87~1.53V 음의 진행 범위
- 초접합 MOSFET과 같은 기존 개별 전원 스위치 대체 가능
- 크기 19 mm x 22 mm
애플리케이션
- AC-DC 및 DC-DC 컨버터
- PFC 회로
- 어댑터 및 충전기
- 통신 및 서버 전원장치
- 재생 에너지 시스템
필수 장비
- DC 전력 공급 장치(400VDC, 100W이상)
- DC 전력 공급 장치(30VDC, 10W이상)
- 오실로스코프
- 발진기
측정 회로
연결 다이어그램
계통도
관련 IC
ROHM Semiconductor Nano CAP™ 650V GaN HEMT 전원단 IC
고성능 전자 시스템을 위해 설계되었으며, 높은 전력 밀도와 효율성을 겸비하고 있습니다.
게시일: 2025-05-13
| 갱신일: 2025-06-01