특징
- 3A 소스 및 4A 싱크 NMOS 게이트 드라이버
- 하이 측 FET의 게이트 드라이버를 위한 내부 레벨 시프터 및 부트스트랩 스위치
- 최대 70V 하이 측 게이트 드라이브 기준
- 바이어스 작동 공급 전압: 8~18V
- 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버를 위한 독립적인 HI 및 LI 입력
- 주변 온도 범위: -40~+140°C
블록 선도
게시일: 2018-12-13
| 갱신일: 2023-02-10
대한민국|
한국 원화
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미국 달러
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