Qorvo QPD1026LEVB 평가 보드
Qorvo QPD1026LEVB 평가 보드는 QPD1026L GaN RF 입력 정합 트랜지스터용 데모 및 개발 플랫폼입니다. QPD1026L은 420~450MHz에서 작동하는 1,300W(P3dB)의 GaN on SiC HEMT(Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor)입니다. QPD1026L은 440MHz에서 25.9dB의 선형 이득을 제공합니다.패키지 내에서 입력이 사전 정합되어 더 쉬운 외부 보드 정합이 가능하므로 보드 공간이 절약됩니다. 이 장치는 연속파 및 펄스 작동을 모두 지원합니다.
Qorvo QPD1026LEVB 평가 보드는 QPD1026L이 사전 장착되어 있는 것이 특징이며 업계 표준 NI-1230 에어 공동 패키지로 제공됩니다. QPD1026L 패키지에는 볼트로 고정할 수 있는 이어 플랜지가 포함되어 있습니다. 이 평가 보드는 기존 설계 장치에 통합 시 빠르게 프로토타입을 제작할 수 있는 예시 애플리케이션 회로를 제공합니다.
지원 장치
Qorvo QPD1026L GaN RF 입력 정합 트랜지스터
420~450MHz에서 작동하는 1,300W(P3dB)의 이산 GaN on SiC HEMT입니다.
보드 레이아웃
게시일: 2022-02-04
| 갱신일: 2022-03-11