Pulse Electronics 고효율 초저 DCR 전력 비드 인덕터
Pulse Electronics 고효율 초저 DCR 전력 비드 인덕터는 서버, 그래픽 및 고전력 FPGA를 위한 최신 다중 위상 및 PoL(Point-of-Load) 아키텍처용으로 설계되었습니다. 이 인덕터는 0.125Ω~0.81mΩ 범위의 극히 낮은 DCR을 제공합니다. 이 장치는 저손실 페라이트 코어와 고효율 및 최대 전력 밀도를 보장하도록 최적화된 구조가 특징입니다. 피크 정격 전류는 37~100Apk 이상이며, 인덕턴스 범위는 55~1,000nH입니다. Pulse Electronics 고효율 초저 DCR 전력 비드 인덕터는 5.5mm x 5.7mm~10.8mm x 8.2mm의 다양한 설치 공간으로 제공되며 높이는 4.6~12mm입니다.
특징
- 공통
- 서버, 그래픽 및 고전력 FPGA용 다중 위상 및 PoL 아키텍처에 이상적
- 무할로겐
- RoHS 규격 준수
- PG1712
- 100Apk 이상 정격 전류
- 1~220nH 인덕턴스 범위
- 0.17mΩ DCR
- 9.3mm 최대 높이
- 9.6mm x 6.4mm 최대 설치 공간
- MSL(수분 민감도 레벨) 1
- PA4059
- 48Apk 이상의 정격 전류
- 55nH 인덕턴스
- 0.20mΩ DCR
- 4.6mm 최대 높이
- 5.5mm x 5.7mm 최대 설치 공간
- PA4987
- 37Apk 이상의 정격 전류
- 470~1,000nH 인덕턴스 범위
- 0.81mΩ DCR
- 10mm 최대 높이
- 10mm x 7mm 최대 설치 공간
- MSL 1
- PA4990
- 100Apk 이상 정격 전류
- 100~330nH 인덕턴스 범위
- 0.125mΩ DCR
- 12mm 최대 높이
- 10mm x 6mm 최대 설치 공간
- MSL 1
- PA5041
- 89Apk 이상의 정격 전류
- 120~330nH 인덕턴스 범위
- 0.29mΩ DCR
- 11mm 최대 높이
- 7.2mm x 6.7mm 최대 설치 공간
- MSL 1
- PA5187
- 100Apk 이상 정격 전류
- 100~180nH 인덕턴스 범위
- 0.12mΩ DCR
- 8.2mm 최대 높이
- 10.8mm x 8.2mm 최대 설치 공간
- MSL 1
비교 차트
게시일: 2021-03-08
| 갱신일: 2025-06-01