onsemi Trench8 MOSFET
Onsemi Trench8 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 MOSFET의 핵심 성능 지수(FOM)에 대해 낮은 최대 ON 저항 (RDS(ON), 매우 낮은 게이트 전하 (Qg), 낮은 (Qg) x RDS(ON) 값을 갖추고 있습니다. T6 기술을 기반으로 스위칭 성능을 최적화한 Trench8 MOSFET은 Trench6 시리즈보다 Qg 및 Qoss 를 35%~40% 감소시킵니다. Onsemi Trench8 MOSFET은 설계 유연성을 위해 다양한 패키지 타입으로 제공됩니다. AEC-Q101 인증 및 PPAP 지원 옵션은 자동차 애플리케이션에 사용할 수 있습니다. 이 장치는 AOI(자동 광학 검사)를 가능하게 하는 플랭크 습식 패키지로 제공됩니다.
특징
- AEC-Q101 인증 및 PPAP 지원 옵션 사용 가능
- 전도 및 스위칭 손실을 최소화하도록 최적화된 설계
- 기생 인덕턴스를 최소화하도록 최적화된 패키지
- 열 성능 향상을 위한 최적화된 소재
- 25V~80V의 드레인-소스 항복 전압 범위 (VDS)
- 11.6A~351A의 연속 드레인 전류 범위 (ID)
- 0.7mΩ~55mΩ의 드레인-소스 ON 저항 범위 (RDS(ON))
- ±20V의 게이트-소스 전압(VGS)
- 1.1V~4.0V의 게이트-소스 임계 전압 범위 (VGS(TH))
- 4.7nC~166nC의 게이트 전하 범위 (Qg)
- 860mW~311W의 전력 손실 범위 (Pd)
- 패키지 옵션:
- DFN-5, DFN-8, DFNW-8, H-PSOF-8, PQFN-8, SO-8, SO-8FL, SO-FL-8L, WDFN-6, WDFN-8, WQFN-12
- 습식 플랭크 옵션 사용 가능
- 작동 및 접합 온도 범위
- 산업: -55~+125°C
- 자동차: -55~+150°C
- 무연 및 RoHS 준수
애플리케이션
- 자동차용(AEC-Q101 인증 옵션만 해당)
- EV/HEV 충전기(AEC-Q101 인증 옵션만 해당)
- 고성능 DC-DC 변환기
- 시스템 전압 레일
- 넷콤 및 전기통신
- 서버
- POL(Point-of-load)
- 모터 드라이브
비디오
주요 제품
onsemi NTMFS5H419NL 40V 150A N-channel Power MOSFET
단일 N-채널 전력 MOSFET로서 낮은 온저항, 낮은 게이트 전하, 낮은 정전 용량을 제공합니다.
onsemi NTTFS6H850NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
드라이버 손실 최소화를 위한 낮은 드레인-소스 온 저항과 낮은 정전용량.
onsemi NTTFD4D0N04HL 및 NTTFD9D0N06HL N-채널 MOSFET
제어(Q2) 및 동기식(Q1) MOSFET은 최적의 전력 효율을 제공하도록 설계되었습니다.
onsemi NVMFS6H8x 전력 MOSFET
소형 디자인을 위해 80V, 단일 N채널 및 소형 풋 프린트를 제공합니다.
onsemi NVMFS6H824NLT1G & NVTFS6H888NLTAG 전력 MOSFET
콤팩트한 설계를 위해 작은 설치 공간의 DFN5 패키지로 제공되는 AEC-Q101 인증 자동차용 전력 MOSFET.
onsemi NVMFD6H852NL 80V 25A 자동차용 전력 MOSFET
AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능 듀얼 N-채널 MOSFET으로, 자동차 애플리케이션에서 사용하기에 적합합니다.
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게시일: 2021-04-12
| 갱신일: 2025-03-04