onsemi NXH010P90MNF1 SiC 모듈
onsemi NXH010P90MNF1 SiC 모듈은 F1 모듈에 10MΩ 900V SiC MOSFET 하프 브리지 및 NTC 서미스터를 포함합니다. 이 모듈의 권장 게이트 전압 범위는 15V~18V 입니다. NXH010P90MNF1은 더 높은 전압과 낮은 열 저항에서 RDS(온) 가 개선되었습니다.
특징
- 권장 게이트 전압 15V~18V
- 더 높은 전압에서 개선된 RDS(온)
- 낮은 열 저항
- 향상된 효율성 또는 보다 높은 전력 밀도
- TIM 또는 비 TIM 옵션
- 고신뢰성 열 인터페이스를 위한 유연한 솔루션
애플리케이션
- AC-DC 변환
- 전기차 충전기
- DC-AC 변환
- 에너지 저장 시스템
- DC-DC 변환
- 태양광 인버터 3상
- 무정전 전력 공급
EliteSiC에 대해 자세히 알아보기
게시일: 2022-05-11
| 갱신일: 2024-06-18