onsemi NVMFS4C03NWFET1G 단일 N-채널 전력 MOSFET
Onsemi NVMFS4C03NWFET1G 단일 N-채널 전력 MOSFET은 까다로운 전력 관리 애플리케이션을 위해 설계된 고효율 장치입니다. 소형 5 mmx6 mm PowerFLAT 패키지로 제공되는 NVMFS4C03NWFET1G는 뛰어난 열 성능과 낮은 RDS(on)를 제공하며0.9 mΩ에서10 V로 낮아 고전류 회로에서 전도 손실을 최소화하는 데 이상적인 MOSFET입니다. 이 Onsemi MOSFET은 빠른 스위칭 속도를 지원하며 DC-DC 컨버터, 동기식 정류, 부하 스위칭 및 모터 제어 애플리케이션에 사용하기에 최적화되어 있습니다. 견고한 설계와 높은 눈사태 에너지 등급으로 신뢰성과 효율성이 중요한 통신, 서버 및 산업용 전력 시스템에서 사용하기에 적합한NVMFS4C03NWFET1G입니다. NVMFS4C03NWFET1G은 성능, 크기, 견고함의 균형을 갖추고 있어 최신 전력 전자제품을 위한 다목적 선택입니다.
특징
- 소형 설계를 위한 작은 5 mmx6 mm설치 면적
- 낮은 RDS(on)로 전도 손실 최소화
- 낮은 QG와 정전용량으로 드라이버 손실 최소화
- 향상된 광학 검사를 위한 습식 측면
- AEC-Q101 인증 및 PPAP 부합
- 무연 및 무할로겐/무 BFR
- RoHS 준수
애플리케이션
- DC-DC 컨버터
- 동기식 정류
- 부하 스위칭
- 모터 제어
- 통신 전력 시스템
- 서버 및 데이터 센터 전원 관리
- BMS(배터리 관리 시스템)
사양
- 30 V의 최대 드레인-소스 전압
- ±20 V의 최대 게이트-소스 전압
- 34.9 A~159 A의 최대 연속 드레인 전류 범위
- 3.71 W~77 W의 최대 전력 손실 범위
- 900 A의 최대 펄스 드레인 전류
- 64 A의 최대 보디 다이오드 소스 전류
- 549mJ의 최대 단일 펄스 드레인-소스 애벌런치 에너지
- SO-8 FL 패키지
- 최대 드레인-소스 온 저항
- 1.7 mΩ에서 10 V
- 2.4 mΩ에서 4.5 V
- -55 °C~+175 °C의 작동 접합부 온도 범위
- +260 °C의 최대 납땜 리드 온도
- 최대 열 저항
- 1.95°C/W의 정션-케이스 간, 정상 상태
- 40°C/W의 접합부-주변, 정상 상태
게시일: 2025-06-02
| 갱신일: 2025-06-23