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onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N-채널 전력 MOSFET은 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다. 이 MOSFET은 전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 RDS(on)을 가지며, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG와 정전용량을 갖습니다. onsemi NVBYST0D6N08X는 AEC-Q101 인증을 획득했으며, PPAP 지원이 가능하고, 무연, 무할로겐/무BFR이며, RoHS를 준수합니다. 이 MOSFET은 일반적으로 DC-DC 및 AC-DC의 SR(동기식 정류), 절연형 DC-DC 컨버터의 1차 스위치, 모터 드라이브 및 자동차용 48V 시스템에 사용됩니다.

특징

  • 낮은 QRR, 소프트 복구 보디 다이오드
  • 전도 손실을 최소화하기 위한 낮은 RDS(on)
  • 드라이버 손실을 최소화하기 위한 낮은 QG 및 정전용량
  • AEC-Q101 인증 및 PPAP 부합
  • 무연, 무할로겐/무BFR 및 RoHS 준수

애플리케이션

  • DC-DC 및 AC-DC의 SR(동기식 정류)
  • 절연형 DC-DC 컨버터의 1차 스위치
  • 모터 드라이브
  • 자동차용 48V 시스템

사양

  • 80V(최대) 드레인-소스 전압(VDSS)
  • 20V(최대) 게이트-소스 전압(VGS)
  • 767A(최대)(TC=+25°C) 및 542A(TC=+100°C) 연속 드레인 전류(ID)
  • 750W(최대) 전력 손실(PD)(+25°C)
  • 2443A(최대) 펄스 드레인 전류(IDM)(TC=25°C, tp=100µs)
  • -55~+175°C 작동 접합 온도 범위(Tj) 및 저장 온도 범위(Tstg)
  • 0.56mΩ(표준) 드레인-소스 온 상태 저항[RDS(on)](VGS=10V, ID=80A, TJ=+25°C)
  • 16,419pF(표준) 입력 정전용량(CISS)(VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz)
  • 4,654pF(표준) 출력 정전용량(COSS)(VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz)
  • 228nC(표준) 총 게이트 전하[QG(TOT)](VDD=40V, ID=80A, VGS=10V)

회로/마킹 다이어그램

계통도 - onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
게시일: 2025-11-24 | 갱신일: 2025-12-26