onsemi NVBG050N170M1 SiC(탄화 규소) MOSFET
Onsemi NVBG050N170M1 탄화 규소(SiC) MOSFET은 고속 스위칭 애플리케이션에 최적화된 1 700 V M1 평면형 SiC MOSFET 제품군의 일부입니다. 최대 76 mΩ @ 20 V최대 RDS(ON), 1 700 V 드레인-소스 전압, 50 A 연속 드레인 전류, 초저 게이트 전하(일반 QG(tot) = 107nC)가 특징인 MOSFET입니다. NVBG050N170M1 SiC MOSFET은 낮은 유효 출력 정전용량(일반 Coss=97 pF) 및 -15V/+25V 게이트-소스 전압에서 작동합니다. 이 SiC MOSFET은 100% 애벌랜치 테스트를 거쳤으며 D2PAK-7L 패키지로 제공됩니다. NVBG050N170M1 SiC MOSFET은 무연 2LI, 무할로겐, RoHS를 준수하며 면제 7a를 준수합니다. 일반 애플리케이션으로는 플라이백 컨버터, EV/HEV용 차량용 DC-DC 컨버터, 차량용 온보드 충전기(OBC)가 있습니다.
특징
- 일반 RDS(on)=53 mΩ@ VGS=20 V
- 초저 게이트 전하(일반적인 QG(tot) = 107nC)
- 낮은 유효 출력 정전용량(일반 Coss=97 pF)
- 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
- 무할로겐
- RoHS 준수, 면제 7a
- 무연 2LI(2단계 상호 연결 시)
애플리케이션
- 플라이백 컨버터
- EV/HEV용 자동차 DC-DC 컨버터
- 자동차 온보드 충전기(OBC)
사양
- 1 700 V VDSS 드레인-소스 전압
- -15V/+25V 게이트-소스 전압
- 작동 온도 범위: -55 °C~+175 °C
- 87 A 연속 소스 전류(보디 다이오드)
MOSFET 개요
일반 특성
치수:
게시일: 2025-05-14
| 갱신일: 2025-06-02