onsemi NTMYS010N04CL 40V 산업용 전력 MOSFET
onsemi NTMYS010N04CL 40V 산업용 전력 MOSFET의 특징은 작은 5mm x 6mm의 설치 공간, 낮은 RDS(on), 낮은 게이트 전하(QG), 낮은 정전용량입니다. RDS(on) 값이 낮으므로 전도 손실 최소화에 도움이 되고 QG와 정전용량이 낮으므로 드라이버 손실이 최소화됩니다. 이 단일 N-채널 전력 MOSFET은 무연 및 RoHS 규격을 준수하며 -55~175°C의 폭넓은 산업 등급 작동 온도 범위가 특징입니다.
특징
- 전도 손실 최소화를 위한 낮은 RDS(on)
- 10.3mΩ @ 10V
- 17.6mΩ @ 4.5V
- 연속 드레인(ID): 최대 38A
- 드레인-소스 전압(VDSS): 40V
- 게이트-소스 전압(VGS): ±20V
- 바디 다이오드 소스 전류(IS): 24A
- 낮은 총 게이트 전하(QG(TOT)): 7.3nC
- 입력 정전용량(CISS): 570pF
- 출력 정전용량(COSS): 230pF
- 역방향 회복 시간(tRR): 18ns
- 충전 시간(ta): 9ns
- 방전 시간(tD): 9ns
- 작동 접합 온도(TJ): -55~+175°C
- LFPAK4 패키지
- 무연 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- 태양광 인버터
- 무정전 전원 공급 장치
- 유도 가열 장비
- 모터 드라이브
- 풍력 전력 변환기
내부 계통도
패키지 크기
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게시일: 2019-08-27
| 갱신일: 2024-02-27