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onsemi NTMJS1D5N04CL 40V 산업용 전력 MOSFET

onsemi NTMJS1D5N04CL 40V 산업용 전력 MOSFET의 특징은 작은 5mm x 6mm의 설치 공간, 낮은 RDS(on), 낮은 게이트 전하(QG), 낮은 정전용량입니다. RDS(on) 값이 낮으므로 전도 손실 최소화에 도움이 되는 한편, QG와 정전용량이 낮으므로 드라이버 손실이 최소화됩니다. 이 단일 N-채널 전력 MOSFET은 무연 및 RoHS 규격을 준수하며 작동 온도 범위가 -55~175°C입니다.

특징

  • 전도 손실 최소화를 위한 낮은 RDS(on)
    • 1.4mΩ @ 10V
    • 2.2mΩ @ 4.5V
  • 연속 드레인(ID): 최대 200A
  • 드레인-소스 전압(VDSS): 40V
  • 게이트-소스 전압(VGS): ±20V
  • 바디 다이오드 소스 전류(IS): 120A
  • 낮은 총 게이트 전하(QG(TOT)): 32nC
  • 입력 정전용량(CISS): 4,300pF
  • 출력 정전용량(COSS): 1,900pF
  • 역회복 시간(tRR): 61ns
  • 충전 시간(ta): 29ns
  • 방전 시간(tD): 32ns
  • 작동 접합 온도(TJ): -55~+175°C
  • 패키지 유형: LFPAK-8
  • 무연 및 RoHS 규격 준수

애플리케이션

  • 스위치 모드 전원 공급 장치
  • 태양광 인버터
  • 무정전 전원 공급 장치
  • 유도 가열 장비
  • 모터 드라이브
  • 풍력 전력 변환기

내부 계통도

계통도 - onsemi NTMJS1D5N04CL 40V 산업용 전력 MOSFET

패키지 크기

기계 도면 - onsemi NTMJS1D5N04CL 40V 산업용 전력 MOSFET

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게시일: 2019-08-23 | 갱신일: 2024-02-26