onsemi NTMFS3D0N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
Onsemi NTMFS3D0N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET은 클라우드 전력, 5 G 텔레콤 및 기타 PSU 애플리케이션 뿐 아니라 DC/DC 및 산업용 애플리케이션에 이상적인 80 V T10 표준 게이트 MOSFET입니다. NTMFS3D0N08X는 아래와 같은 기능으로 향상된 시스템 효율과 높은 전력 밀도로 더나은 성능을 제공합니다. 이 MOSFET은 전체 효율 개선, 스위칭 손실 개선, 공명/오버슈트/잡음 감소, 빠른 스위칭 애플리케이션에서 애벌랜치 견고성 개선을 제공합니다.
특징
- 낮은 QRR, 소프트 복구 바디 다이오드
- 낮은 RDS(on) 로 전도 손실 최소화
- 낮은 QG 및 정전용량으로 드라이버 손실 최소화
- 무연, 무할로겐/무 BFR 및 RoHS 준수
애플리케이션
- DC-DC 및 AC-DC에서 SR(동기식 정류)
- 절연형 DC-DC 컨버터의 1차 스위치
- 모터 드라이브
사양
- 80 V 최대 드레인-소스 전압
- ±20 V 최대 게이트-소스 전압
- 109 A~154 A 최대 연속 드레인 전류 범위
- 133 W 최대 전력 손실
- 634 A 최대 펄스 드레인/소스 전류
- 201 A 최대 바디 다이오드 소스 전류
- 140 mJ 최대 단일 펄스 애벌랜치 에너지
- 100 nA 최대 게이트-소스 누설 전류
- 2.6 mΩ~5.2 mΩ 최대 드레인-소스 온 상태 저항 범위
- 2.4 V~3.6 V 게이트 임계 전압 범위
- 115 S 표준 순방향 상호 컨덕턴스
- 66 nC 표준 출력 전하
- 28~45 nC 표준 총 게이트 전하 범위
- 10 nC 표준 임계 게이트 전하
- 15 nC 표준 게이트-소스 전하
- 7 nC 표준 게이트-드레인 전하
- 4.7 V 표준 게이트 플래토 전압
- 0.8 Ω 표준 게이트 저항
- 표준 스위칭 시간
- 24 ns 턴온 지연
- 8 ns 상승
- 35 ns 턴오프 지연
- 6 ns 하강
- 표준 정전용량
- 3 200 pF 입력
- 930 pF 출력
- 14 pF 역방향 전송
- 열 저항
- 1.12°C/W 접합-케이스
- 39°C/W 접합-주변
- 작동 접합 온도 범위: -55°C ~ +175°C
게시일: 2024-02-19
| 갱신일: 2024-05-01