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onsemi NTK3134N 단일 N-채널 전력 MOSFET

Onsemi NTK3134N ESD 보호 기능이 있는 단일 N-채널 전력 MOSFET은 고효율 스위칭 애플리케이션에 최적화된 강력한 MOSFET입니다. 컴팩트한 3-lead SOT-723 패키지에 들어 있는 Onsemi NTK3134N 구성요소는 4.5 V에서 0.20 Ω의 낮은 RDS(on)를 제공하여 전도 손실을 최소화하고 열 성능을 향상시킵니다. 드레인-소스 전압 정격이 20 V이고 정상 상태 연속 드레인 전류 용량이 890 mA(최대)인 NTK3134N MOSFET은 휴대용 전자 제품, DC-DC 컨버터 및 부하 스위치 회로에 사용하기에 이상적입니다. 빠른 스위칭 속도와 낮은 게이트 전하로 전력 소비를 줄이고 전반적인 시스템 효율을 개선하므로 공간 제약이 있고 전력에 민감한 설계에 신뢰할 수 있는 선택이 될 수 있는 MOSFET입니다.

특징

  • RDS(on)가 낮은 N-채널 스위치
  • SC89보다 44% 더 작은 설치 면적과 38%더 얇은 두께
  • 낮은 임계값 레벨로 1.5 V RDS(on) 등급 허용
  • 낮은 로직 레벨 게이트 드라이브에서 작동
  • 3-lead SOT-723 케이스 631AA, 스타일5 패키지
  • 무연, 무할로겐/무BFR 및 RoHS 규격 준수

애플리케이션

  • 초소형 휴대용 전자기기를 위한 배터리 관리
  • 부하/전원 전환
  • 인터페이스 전환
  • 로직 레벨 전환

사양

  • 오프 특성
    • 20 V의 최소 드레인-소스 항복 전압
    • 18mV/°C의 일반 드레인-소스 항복 전압 온도 계수
    • 제로 게이트 전압 드레인 전류
      • -1 0 µA에서 최대 +25 °C
      • -2 0 µA에서 +125 °C(표준)
    • ±0.5 µA의 최대 게이트-소스 누설 전류(±4.5VGS 기준)
  • 온 특성
    • 0.45 V~1.2 V 게이트 임계 전압 범위
    • 2.4mV/°C의 일반 음의 임계 온도 계수
    • 0.35 Ω~1.2 Ω의 최대 드레인-소스 온 저항 범위
    • 1.6 S의 일반 순방향 상호 컨덕턴스
  • Capacitances
    • 79 pF의 입력 정전용량
    • 13 pF의 일반 출력 정전용량
    • 9 0 pF의 일반 역전송 정전용량
  • 스위칭 특성
    • 6.7 ns의 일반 턴-온 지연 시간
    • 4.8 ns의 일반 상승 시간
    • 17.3 ns의 일반 턴-오프 지연 시간
    • 7.4 ns의 일반 하강 시간
  • 드레인 소스 다이오드 특성
    • 0.75 V의 일반 순방향 다이오드 전압
    • 8.1 ns의 일반 역회복 시간
    • 6.4 ns의 일반 전하 시간
    • 1.7 ns의 일반 방전 시간
    • 3.0nC의 일반 역회복 전하
  • 0.2 Ω(4.5 V)~0.56 Ω(1.5 V)의 일반 RDS(on) 범위
  • ±8 V의 최대 게이트-소스 전압
  • 640 mA~890 mA의 최대 정상 상태 연속 드레인 전류 범위
  • 450mW의 최대 정상 상태 전력 손실
  • 1.8 A의 최대 펄스 드레인 전류
  • 최대 열 저항
    • 280°C/W의 접합부-주변 정상 상태
    • 228°C/W의 접합부-주변
    • 400°C/W의 접합-리드 정상 상태 최소 패드
  • 온도
    • -55 °C~+150 °C의 작동 접합 온도 범위
    • +260 °C의 최대 납땜 온도

계통도

계통도 - onsemi NTK3134N 단일 N-채널 전력 MOSFET
게시일: 2025-08-29 | 갱신일: 2025-09-08