onsemi NCP303160A 게이트 드라이버

Onsemi NCP303160A 게이트 드라이버는 모스펫 드라이버, 하이 사이드 모스펫, 로우 사이드 모스펫을 단일 패키지로 통합합니다. 이 게이트 드라이버와 MOSFET은 고전류 및 고효율 DC-DC 벅 전력 변환 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. NCP303160 드라이버는 최대 60 A의 평균 전류와 최대 1 MHz의 주파수에서 스위칭이 가능합니다. 이 드라이버는 개별 구성 요소 솔루션에 비해 패키지 기생과 보드 공간을 줄여주는 통합 솔루션입니다. NCP303160A 게이트 드라이버는 내부 부트스트랩 다이오드를 갖추고 있으며 인텔®전원 상태 4를 지원합니다. 이 게이트 드라이버는 PQFN39 패키지로 제공되며 Pb가 없고 RoHS를 준수합니다. NCP303160A 게이트 드라이버는 데스크톱 및 노트북 마이크로프로세서, 라우터 및 스위치, 그래픽 카드에 이상적입니다.

특징

  • 최대 60 A의 평균 전류 지원
  • 80 A(10 ms)의 피크 전류
  • 80 A의 견고성 향상을 위해 테스트된 패키지 수준 UIS
  • 고성능, 범용 설치 면적, 구리 클립 5 mmx6 mm 습식 플랭크의 PQFN 패키지
  • 최대 1 MHz의 주파수에서 전환 가능
  • 3.3 V 또는 5 V PWM 입력과 호환
  • 3-level PWM 입력에 올바르게 응답
  • 정밀한 전류 모니터링
  • 3-level PWM 내부 부트스트랩 다이오드를 통한 제로 크로스 감지
  • 치명적인 결함 감지
    • 과열 상태를 위한 열 플래그(OTP)
    • 과전류 보호 오류(OCP)
    • VCC 및 PVCC의 저전압 록아웃(UVLO)
    • 부팅 SW의 저전압 보호 결함
  • 무연 제품이고 RoHS를 준수하는 장치

계통도

애플리케이션 회로도 - onsemi NCP303160A 게이트 드라이버

블록 선도

블록 선도 - onsemi NCP303160A 게이트 드라이버
게시일: 2025-01-30 | 갱신일: 2025-02-06