onsemi NCD57001FDWR2G 절연형 IGBT 게이트 드라이버
Onsemi NCD57001FDWR2G 절연형 고전류 IGBT 게이트 드라이버는 높은 시스템 효율과 신뢰성을 위해 설계된 내부 갈바닉 절연 기능을 갖춘 단일 채널 IGBT 드라이버입니다. 이 게이트 드라이버는 보완 입력, 오픈 드레인 FAULT 및 Ready 출력, 액티브 밀러 클램프, 정확한 UVLO (저전압 차단), DESAT 보호 및 DESAT에서 소프트 턴오프 기능을 갖추고 있습니다. Onsemi NCD57001FDWR2G 게이트 드라이버는 입력 측에서 5V 및 3.3V 신호를 수용하고 드라이버 측에서 네거티브 전압 기능을 포함한 넓은 바이어스 전압 범위를 수용합니다. 이 게이트 드라이버는 >5kVrms (UL1577 등급) 갈바닉 절연 및 >1,200Viorm (작동 전압)을 특징으로 합니다. 일반적으로 태양광 인버터, 모터 제어 , UPS(무정전 전원 공급 장치), 산업용 전원 공급 장치 및 용접에 사용됩니다.
특징
- IGBT 밀러 플래토 전압에서 +4/-6A의 고전류 출력
- 향상된 IGBT 구동을 위한 낮은 출력 임피던스
- 정확한 매칭으로 짧은 전파 지연
- 스퓨리어스 게이트 턴온을 방지하는 액티브 밀러 클램프
- 프로그래밍 가능 지연으로 DESAT 보호
- DESAT를 위한 네거티브 전압 (-9V 미만) 기능
- IGBT 단락 중 소프트 턴오프
- 단락 중 IGBT 게이트 클램핑
- IGBT 게이트 액티브 풀다운
- 바이어스 유연성을 위한 엄격한 UVLO 임계값
- 네거티브 VEE2 를 포함한 넓은 바이어스 전압 범위
- 입력 공급 전압 범위: 3.3V~5V
- AEC-Q100 인증을 위해 설계됨
- 5,000V 갈바닉 절연(UL1577 요구 사항 충족)
- 1,200V 작동 전압(VDE0884-10 요구 사항에 따름)
- 높은 과도 내성
- 높은 전자기 내성
- 무연, 무할로겐 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 태양광 인버터
- 모터 제어
- UPS
- 산업용 전원 공급 장치
- 용접
블록 선도
애플리케이션 계통도
관련 MOSFET
onsemi 게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링
게이트 드라이버 및 EliteSiC Mosfets의 전체 포트폴리오는 페어링 시 열 성능을 향상시킵니다.
게시일: 2020-06-01
| 갱신일: 2024-06-06