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onsemi NVT201xN0 M2 SiC N- 채널 MOSFET

onsemi NVT201xN0 M2 SiC N- 채널 MOSFET은 기존 Si 기술에 비해 더 높은 전압 작동, 넓은 온도 범위 및 향상된 스위칭 주파수를 제공합니다. 이 MOSFET은 유효 출력 정전 용량이 낮고 게이트 전하가 극히 낮으므로 스위칭 손실이 낮고 스위칭 속도 성능이 높습니다. onsemi NVT201xN0 M2 SiC N- 채널 MOSFET은 100% UIS 테스트를 거쳤으며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.

특징

  • 낮은 유효 출력 정전용량
  • 초저 게이트 전하
  • 100% UIS 테스트 완료
  • AEC-Q101에 따라 인증
  • 무할로겐 및 RoHS 규격 준수(7a 면제, 무연 2LI (2 차 레벨 상호 연결 시)

애플리케이션

  • 자동차온 보드/오프 보드 충전기
  • EV-HEV용 자동차 DC-DC 컨버터
  • SMPS, 태양광 인버터, UPS, 에너지 저장, EV 충전 인프라

사양

  • 드레인-소스 온 저항 [RDS (on)]
    • NVT2012N065M2: VGS = 18 V 조건에서 18 mΩ ( 표준)
    • NVT2016N090M2: VGS = 18 V 조건에서 23 mΩ ( 표준)
  • 드레인 소스 전압(VDSS)
    • NVT2012N065M2: 650 V
    • NVT2016N090M2: 900 V
  • 연속 드레인 전류(ID) (TC = +25 °C)
    • NVT2012N065M2: 180 A
    • NVT2016N090M2: 148 A
  • 전력 손실(PD) (TC = 25 °C)
    • NVT2012N065M2: 375 W
    • NVT2016N090M2: 789 W
  • 펄스 드레인 전류(IDM) (TC = +25 °C, tp = 100nV)
    • NVT2012N065M2: 482 A
    • NVT2016N090M2: 424 A
  • 입력 정전용량(CISS):
    • NVT2012N065M25 389 pF(VDS =325 V VGS =0 V f =1 MHz)
    • NVT2016N090M25 340 pF(VDS =450 V VGS =0 V f =1 MHz)
  • 출력 정전 용량(COSS)
    • NVT2012N065M2431 pF(VDS =325 V VGS =0 V f =1 MHz)
    • NVT2016N090M2310 pF(VDS =450 V VGS =0 V f =1 MHz)
  • 총 게이트 전하 [QG (TOT)]
    • NVT2012N065M2256nC(VDS =400 V ID =40 A VGS = -5V/+18V)
    • NVT2016N090M2250nC(VDS =425 V ID =60 A VGS = -5V/+18V)

추가 자료

회로 및 마킹 다이어그램

계통도 - onsemi NVT201xN0 M2 SiC N- 채널 MOSFET
게시일: 2025-11-12 | 갱신일: 2025-11-23