onsemi NVMFS015N10MCL 단일 N-채널 전력 MOSFET
Onsemi NVMFS015N10MCL 단일 N-채널 전력 MOSFET은 높은 열 성능을 포함하여 콤팩트하고 효율적인 디자인을 위해 설계되었습니다. 이 MOSFET은 전도 손실 최소화를 위한 낮은 드레인-소스 저항(RDS(on))과 드라이버 손실 최소화를 위한 낮은 게이트 전하(QG)/정전 용량을 특징으로 합니다. Onsemi NVMFS015N10MCL MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받았으며 PPAP를 지원합니다. 이 MOSFET은 소형 5mm x 6mm DFN5 평면 리드 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 솔레노이드 드라이버의 역 배터리 보호, 모터 제어의 전원 스위치(하이 측 드라이버, 로우 측 드라이버 및 H- 브리지) 및 스위칭 전원 공급 장치에 사용됩니다.
특징
- 낮은 RDS(on) 으로 전도 손실 최소화
- 12.2 mΩ에서 10 V
- 18.3 mΩ에서 4.5 V
- 100V의 드레인-소스 저항(V(BR)DSS)
- 47.1A의 최대 드레인 전류 (ID)
- AEC-Q101 인증 및 PPAP 부합
- 콤팩트한 설계를 위한 작은 설치 공간 (5mm x 6mm)
사양
- 솔레노이드 드라이버의 역방향 배터리 보호
- 모터 제어용 전원 스위치
- 스위칭 전원장치
추가 자료
게시일: 2020-09-18
| 갱신일: 2024-06-04