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onsemi NTBS9D0N10MC 단일 N-채널 MOSFET

Onsemi NTBS9D0N10MC 단일 N-채널 MOSFET은 전도 손실을 최소화하는 낮은 드레인-소스 온 상태 저항 RDS(ON) 를 제공합니다. 이 MOSFET은 드라이버 손실을 최소화하는 낮은 총 게이트 전하(QG)와 정전용량을 제공합니다. Onsemi NTBS9D0N10MC MOSFET은 스위칭 잡음/EMI(전자기 간섭)을 낮춥니다. 이 MOSFET은 100 V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 60 A 최대 연속 드레인 전류(ID)가 특징입니다. 일반적으로 전동 공구, 배터리 작동식 진공 청소기, UAV(무인 항공기)/드론, 자재 취급, BMS(배터리 관리 시스템)/보관 및 홈 자동화에 사용됩니다.

특징

  • 10 V에서 9 mΩ(최대) RDS(on) 로 전도 손실 최소화
  • 최적화된 스위칭 성능
  • 낮은 QG 및 정전용량으로 드라이버 손실 최소화
  • 스위칭 잡음/EMI를 낮춤
  • 60 A ID (최대)
  • 100 V VDSS

애플리케이션

  • 전동 공구
  • 배터리 작동식 진공청소기
  • UAV/드론
  • 재료 처리
  • BMS/스토리지
  • 홈 자동화

성능 그래프

성능 그래프 - onsemi NTBS9D0N10MC 단일 N-채널 MOSFET

추가 자료

게시일: 2020-09-10 | 갱신일: 2024-06-11