NXP Semiconductors TEA2209T 액티브 브리지 정류기 컨트롤러

NXP Semiconductors TEA2206T 액티브 브리지 정류기 컨트롤러는 기존 다이오드 브리지를 대체하도록 설계되었습니다. 저 저항성 고전압 외부 MOSFET과 함께 TEA2209T를 사용하면 일반적인 정류기 다이오드-순방향 전도 손실이 제거되므로 전력 변환기의 효율이 상당히 향상됩니다. TEA2209T에는 X 커패시터 방전 기능이 포함되어 있습니다. 대기 조건에서 소비전력을 줄이기 위해, COMP 핀을 통한 외부 신호가 TEA2209T를 비활성화할 수 있습니다. 이 컨트롤러는 1단계로서 부스트 타입 역률 컨트롤러가 있는 전원 공급 장치를 위해 설계되었습니다. 두 번째 단계는 공진 컨트롤러, 플라이백 컨트롤러 또는 기타 컨트롤러 토폴로지가 될 수 있습니다. 고효율을 요구하는 모든 전원 공급 장치에 사용할 수 있습니다. NXP Semiconductors TEA2209T 액티브 브리지 정류기 컨트롤러는 SO8 패키지로 제공되고 SOI(Silicon-on-Insulator) 프로세스로 제작됩니다.

특징

효율성
- 다이오드 정류기 브리지의 순방향 전도 손실 제거
- 매우 낮은 2mW IC 소비전력
애플리케이션
- 통합형 고전압 레벨 시프터
- 4개의 정류기 MOSFET을 모두 직접 구동
- 매우 적은 외부 부품 수
- 통합 X-커패시터 방전(2mA)
- 자체 공급
- 전파 드라이브로 THD(총 고조파 왜곡) 개선

제어
- 모든 외부 전력 MOSFET에 대한 비활성화 기능
- 하이 측 및 로우 측 드라이버를 위한 UVLO(부족전압 록아웃)
- 모든 외부 전력 MOSFET을 위한 드레인 소스 과전압 보호
- 모든 외부 전력 MOSFET을 위한 시동 시 게이트 풀다운 전류
물리적 사양
- -40~+125°C 접합 온도 범위
- SO16 소형 아웃 라인 패키지, 16 리드, 본체 너비 3.9mm