NXP Semiconductors TEA2206T 액티브 브리지 정류기 컨트롤러

NXP Semiconductors TEA2206T 액티브 브리지 정류기 컨트롤러는 기존 다이오드 브리지에 있는 2개의 로우 측 다이오드를 MOSFET으로 대체하도록 설계되었습니다. 저 저항성 고전압 외부 MOSFET이 있는 TEA2206T를 사용하면 일반적인 정류기 다이오드 순방향 전도 손실이 제거되므로 전력 변환기의 효율이 상당히 향상됩니다. 또한 TEA2206T는 X-커패시터 방전 기능을 포함하고 있어 대기 상태에서 소비전력을 줄일 수 있습니다.

TEA2206T 컨트롤러는 첫 번째 스테이지로서 부스트 타입 역률 컨트롤러가 있는 전원 공급 장치를 위해 설계되었습니다.두 번째 스테이지는 공진 컨트롤러, 플라이백 컨트롤러 또는 기타 컨트롤러 토폴로지가 될 수 있습니다. 높은 효율이 요구되는 모든 전원 공급 장치에 사용할 수 있습니다.

NXP Semiconductors TEA2206T 액티브 브리지 정류기 컨트롤러는 SO8 패키지로 제공되고 SOI(Silicon-on-Insulator) 프로세스로 제작됩니다.

특징

효율성 특징
- 다이오드 정류기 브리지의 순방향 전도 손실을 감소
- 매우 낮은 2mW IC 소비전력
애플리케이션 특징
- 2개의 정류기 MOSFET을 직접 구동
- 매우 적은 외부 부품 수
- 통합 X-커패시터 방전(2mA)
- 자체 공급

제어 기능
- 부족전압 록아웃
- 모든 외부 전력 MOSFET을 위한 드레인 소스 과전압 보호
- 모든 외부 전력 MOSFET을 위한 시동 시 게이트 풀다운 전류
물리적 특징
- -40~+125°C 접합 온도 범위
- SO8 소형 아웃라인 패키지, 8 리드, 본체 너비 3.9mm