NXP Semiconductors MCX N23x 고집적 MCU

NXP Semiconductors MCX N23x Highly Integrated MCUs operate with a high-performance Arm® Cortex®-M33 running up to 150MHz, 1MB of Flash, 352KB ECC RAM, and SmartDMA. The MCX N23x is optimized for cost, memory, and system performance and provides a single-core option with efficient workload distribution to the analog and digital peripherals. NXP supports the MCXN236 device with tools and software, including hardware evaluation boards, software development IDE, example applications, and drivers.

MCX N23x에 탑재된 EdgeLock® Secure Enclave는 독립적 인 전용 보안 코어, 내부 ROM 및 보안 RAM을 갖춘 자급식 온-다이 하드웨어 보안 서브시스템입니다. 이 MCU는 보안 서비스를 위한 최첨단 측면 채널 공격 탄력성 대칭 및 비대칭 암호화 가속기 및 해싱 기능을 지원합니다.

NXP MCX N23x MCU는 임베디드 시스템 개발을 용이하고 최적화하며 가속화하는 데 도움이 되는 MCUXpresso 개발자 환경을 지원합니다.

특징

  • Arm Cortex-M33 150MHz(618CoreMark®(4.12CoreMark/MHz) 포함)
  • 최대 1MB 플래시, 352KB SRAM
  • EdgeLock Secure Enclave, 코어 프로 파일을 이용한 플랫폼 보안
  • -40 °C~+125 °C 온도 범위
  • 최저 50μA/MHz 능동 전류, RTC 활성화 상태의 3.0μA 파워다운 모드 및 352KB SRAM 유지, 1.5μA 딥 파워다운 모드(RTC 활성화 및 32 KB SRAM 포함)

애플리케이션

  • 산업
    • 에너지 저장 및 관리 시스템
    • 스마트 계량
    • 공장 자동화
    • 산업용 HMI
    • 모바일 로봇 에코 시스템
    • 모션 제어 및 로보틱스
    • 모터 드라이브
    • 브러시리스 DC 모터(BLDC) 제어
    • PMSM(영구 자석 동기식 모터)
    • 에지 AI/ML 이상 감지 및 예측 유지 보수
  • 스마트 홈
    • 홈 제어 패널
    • 홈 보안 및 감시
    • 대형 가전제품
    • 로봇 기기
    • 스마트 스피커
    • 사운드바
    • 게임 부속품
    • 스마트 조명
    • 스마트 전원 소켓 및 조명 스위치

사양

  • 보안
    • Armv8M용 TrustZone
    • ROM을 사용한 보안 부팅, 펌웨어 업데이트 및 디버그 인증
    • EdgeLock® 보안 서브시스템(ELS) S50
  • PKC(공개 키 암호화)
    • 신속한 PRINCE 복호화 및 암호화 기능이 있는 내부 플래시 메모리 인터페이스
    • PUF(물리적 복제 방지 기능)하드웨어 옵션
    • 공장 RoT(Root of Trust) 프로그래밍
  • 변조 감지
    • 아날로그 및 디지털 글리치 감지
    • 코드 워치독(CDOG)
    • 침입 및 무단 변조 응답 컨트롤러(ITRC)
  • 산업에서 사용하기에 적합함
    • 산업 온도 등급
    • 산업용 통신 프로토콜 지원(CAN-FD)
  • 고분해능 혼합 신호 아날로그
    • BLDC 및 PMSM 모터 제어 지원
    • I3C,I2C, SPI 및 UART의 통합 센서 인터페이스
  • 15년 수명
  • 구성 가능한 RAM ECC
  • 전력 효율적인 작동 모드
    • 활성 모드(플래시에서 실행되는 동안 코어 클록 150MHz, DC/DC 활성화)에서 50μA/MHz(25°C에서 3.3V)
    • 딥 슬립 모드에서 124μA(전체 352KB RAM 유지, 25°C에서 3.3V)
    • 파워다운 모드에서 2.39μA(전체 352KB RAM 유지, 25°C에서 3.3V)
    • 딥 파워다운 모드에서 1.5 μA, 5.6ms 웨이크업(RTC 활성화 및 32KB RAM 및 리셋핀 활성화, 25°C에서 3.3V)

블록 선도

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구조

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게시일: 2024-05-26 | 갱신일: 2025-11-14