Nexperia NX-xB-GAN 보드

NX-DP-GAN039-TSC 평가 보드는 상부 CCPAK(냉각 구리 클립 패키지)에 장착된 GaN(질화갈륨) FET의 이중 펄스 테스트를 가능하게 합니다. 이 보드는 낮은 유도용량에 최적화되어 있으며, 일반적인 스위칭 성능 평가를 지원하는 온보드 전류 감지 기능을 갖추고 있습니다. NX-DP-GAN039-TSC 평가 보드는 또한 벅 또는 부스트 모드에서 열 저항 분석 및 연속적인 하프 브리지 컨버터 작동을 지원하도록 구성할 수 있습니다. 이 보드는 적합한 고출력 인덕터와 함께 사용하면 100kHz 스위칭 주파수에서 최대 5kW의 출력 전력을 달성할 수 있습니다.

NX-HB-GAN039-BSCUL 평가 보드는 간단한 벅 또는 부스트 컨버터의 구성 요소를 제공합니다. 이를 통해 650V GaN(질화갈륨) FET로 달성 가능한 스위칭 특성과 효율성에 대한 기본 연구가 가능합니다. 이 평가 보드에는 단일 논리 입력 또는 별도의 하이/로우 레벨 입력을 사용할 수 있도록 하는 선택 점퍼가 있습니다. 고전압 입력 및 출력은 최대 400V_DC에서 작동할 수 있으며, 최대 3.5kW의 전력 출력을 제공합니다. 

NX-HB-GAN039-TSCUL 평가 보드는 간단한 벅 또는 부스트 컨버터의 구성 요소를 제공합니다. 이를 통해 650V GaN(질화갈륨) FET로 달성 가능한 스위칭 특성과 효율성에 대한 기본 연구가 가능합니다. 이 평가 보드에는 단일 논리 입력 또는 별도의 하이/로우 레벨 입력을 사용할 수 있도록 하는 선택 점퍼가 있습니다. 고전압 입력 및 출력은 최대 400V_DC에서 작동할 수 있으며, 최대 3.5kW의 전력 출력을 제공합니다. 

NX-HB-GAN041UL 평가 보드는 간단한 벅 또는 부스트 컨버터의 구성 요소를 제공합니다. 이를 통해 650V GaN(질화갈륨) FET로 달성 가능한 스위칭 특성과 효율성에 대한 기본 연구가 가능합니다. 이 평가 보드에는 단일 논리 입력 또는 별도의 하이/로우 레벨 입력을 사용할 수 있도록 하는 선택 점퍼가 있습니다. 고전압 입력 및 출력은 최대 400V_DC에서 작동할 수 있으며, 최대 3.5kW의 전력 출력을 제공합니다. 

NX-HB-GAN111UL 평가 보드는 GAN111-650WSB GaN(질화갈륨) FET를 사용하는 간단한 벅 또는 부스트 컨버터의 구성 요소를 제공합니다. 이 보드를 통해 650V GaN(질화갈륨) FET로 달성 가능한 스위칭 특성과 효율성에 대한 기초 연구가 가능합니다. NX-HB-GAN111UL 평가 보드는 단일 논리 입력 또는 별도의 하이/로우 레벨 입력을 사용할 수 있도록 하는 선택 점퍼가 있습니다. 고전압 입력 및 출력은 최대 400V_DC에서 작동 가능하며, 최대 2kW의 전력 출력을 제공합니다.

NX-HB-GAN3R2-BSC 평가 보드는 간단한 벅 또는 부스트 컨버터의 구성 요소를 제공합니다. 이를 통해 100V E-Mode GaN(질화갈륨) FET로 달성 가능한 스위칭 특성 및 효율성에 대한 기본 연구가 가능합니다. 이 평가 보드에는 단일 논리 입력 또는 별도의 하이/로우 레벨 입력을 사용할 수 있도록 하는 선택 점퍼가 있습니다. 전압 입력 및 출력은 최대 60V_DC에서 작동할 수 있으며, 출력 전력은 350W 이상입니다.