Nexperia NID1101 고효율 아이디얼 다이오드
Nexperia NID1101 고효율 아이디얼 다이오드는 저전압 전력 시스템에서 기존의 쇼트키 다이오드를 대체 하도록 설계되었습니다. Nexperia NID1101은 순방향 전도와 진정한 역방향 전류 차단을 모두 제공하는 동시에 순방향 전압 강하를 상당히 낮춥니다. 1.5~5.5V 입력 범위에서 작동하고 최대 1.5A 연속 전류를 지원하는 NID1101은 전력 OR-ing, 중복 공급 전환 및 역전류 보호와 같은 정밀 전류 제어가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 이중 전원 구성에서 아이디얼 다이오드는 추가 제어 로직 없이 원활한 소스 전환을 가능하게 합니다. 소형 WLCSP4(SOT8113) 패키지로 제공되는 NID1101은 -40°C~+125°C 온도 범위에서 작동하도록 특성화되어 있습니다.
특징
- 입력 전압 범위 1.5 V ~ 5.5 V
- 29mV(표준) 낮은 순방향 전압 강하, 3.6V 입력, 100mA 부하 전류
- 역전압 차단 기능(상시), 낮은 누설 전류(VOUT>VIN)
- 비활성화 시 순방향 전압 차단
- 낮은 대기 전류
- 향상된 부하 과도 응답
- 시동 시 제어된 슬루율
- 과열 보호
- 단락 보호
- SOT8113, 4핀, 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지
- -40~+125°C 지정 온도 범위
애플리케이션
- 스마트 웨어러블 기기
- ORing 애플리케이션
- 다이오드 교체
- 배터리 백업 시스템
- USB 전력 공급 장치
사양
- 1.5 V~5.5 V의 작동 입력 전압 범위
- 0~5.5V 작동 출력 전압
- 0.5~1.5A(최대) 연속 출력 전류 범위
- 2A(최대) 펄스 스위치 전류
- 0~5.5V EN 핀 전압 범위
- 입력 전류
- 1,100nA(최대) 대기, 600nA(표준)
- 430nA(최대) 셧다운, 120nA(표준)
- 50~155mV(최대) 통과 FET 순방향 전압 강하 범위, 21~110mV(표준) 범위
- 역전류 차단
- 31mV(표준) RCB 활성화 전압
- 41mV(표준) RCB 비활성화 전압
- -220~615nA 누설 전류(IN 범위, 비활성화)
- -200~1200nA 누설 전류(OUT 범위, 활성화)
- ±500nA 누설 전류(IN 범위, 비활성화)
- 인에비블 입력
- 1.2V(최소) 높은 임계값
- 0.4V(최대) 낮은 임계값
- 45mV(표준) 히스테리시스
- 50nA(최대) 전류
- 2.2A(표준) 단락 보호 과전류 제한
- 175°C(표준) 과열 차단
- 35°C(표준) 과열 히스테리시스
- 표준 동적 특성
- 660μs 턴온 지연 시간
- 100μs 상승 시간
- 20μs 역전류 차단 시간
- 35μs 전류 제한 응답 시간
- 173°C/W 접합-주변 열 저항
- 5°C/W 접합-상단 특성화 매개변수
- ESD 등급
- ±2000V HBM, ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 Class 2 준수
- ±500V CDM, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 Class C2a 준수
간소화된 애플리케이션
기능도
관련 개발 도구
Nexperia NEVB-NID1101 평가 보드
NID1101 아이디얼 다이오드의 성능을 테스트하고 평가하기에 편리한 플랫폼입니다.
게시일: 2025-11-25
| 갱신일: 2025-12-21