Nexperia NextPower 80/100V MOSFET
Nexperia NextPower 80/100V MOSFET은 고효율 스위칭 및 고신뢰성 애플리케이션에 권장됩니다. NextPower MOSFET은 50% 더 낮은 RDS(on) 및 강력한 애벌랜치 에너지 등급이 특징입니다. 이 장치는 전원 공급 장치, 전기통신, 산업용 설계 장치, USB-PD Type-C 충전기 및 어댑터, 48V DC-DC 어댑터에 매우 적합합니다. 이 장치는 본체 다이오드 손실이 낮고 Qrr 은 50 nC(나노-쿨롱) 미만입니다. 이를 통해 더 낮은 역방향 회복 전류(IRR), 더 낮은 전압 스파이크(Vpeak) 및 더 최적화된 데드타임을 위한 감소된 공명이 가능합니다.
특징
- 더 높은 효율과 더 낮은 스파이크를 위한 낮은 Qrr
- 고효율 스위칭 애플리케이션을 위한 낮은 QG × RDS (on) FOM
- 강력한 애벌랜치 에너지 등급(Eas)
- 80V 및 100V 포트폴리오
- 애벌랜치 등급 및 100% 테스트 통과
- 무할로겐 및 RoHS 준수 LFPAK56 패키지, LFPAK88 패키지
- LFPAK56(SOT669), LFPAK56E(SOT1023) 및 LFPAK88(SOT1235) 웨이브 납땜 가능 패키지
애플리케이션
- AC/DC 및 DC/DC의 동기식 정류기
- 48 V DC/DC 일차 측 스위치
- BLDC 모터 제어
- USB-PD 어댑터 및 충전기
- 풀 브리지 및 하프 브리지 애플리케이션
- 플라이백 및 공진 토폴로지
애플리케이션 성능
비디오
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 | Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 | Qg - 게이트 전하 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R8-80SSFJ |  |
MOSFET SOT1235 N-CH 80V 270A | 4 V | 148 nC |
| PSMN2R0-100SSFJ | |
MOSFET SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET | 4 V | 161 nC |
| PSMN012-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 65A N-CH MOSFET | 4 V | 29 nC |
| PSMN4R5-80YSFX | |
MOSFET SOT669 N-CH 80V 100A | 4 V | 60 nC |
| PSMN5R5-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 115A | 4 V | 64 nC |
| PSMN7R2-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 111A N-CH MOSFET | 4 V | 50 nC |
| PSMN9R8-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 80A N-CH MOSFET | 4 V | 34 nC |
| PSMN3R5-80YSFX | |
MOSFET SOT1023 N-CH 80V 150A | 4 V | 75 nC |
| PSMN015-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 55A N-CH MOSFET | 4 V | 24 nC |
| PSMN3R9-100YSFX | |
MOSFET SOT1023 100V 120A N-CH | 4 V | 79 nC |
게시일: 2020-08-28
| 갱신일: 2024-05-06