Nexperia GANB4R8-040CBA 양방향 GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA 양방향 GaN FET는 40 V, 4.8 mΩ 양방향 질화 갈륨(GaN) HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)입니다. GANB4R8-040CBA은 우수한 성능을 제공하는 상시 오프 MODE FET 입니다. Nexperia GANB4R8-040CBA은 WLCSP(웨이퍼 레벨 칩 스케일)패키지로 제공됩니다.
특징
- 강화 모드 - 상시 오프 전원 스위치
- 양방향 장치
- 초고 스위칭 속도 성능
- 초저 온 상태 저항
- RoHS, 무연, REACH 규격 준수
- 고효율 및 높은 전력 밀도
- 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(WLCSP) 2.1 mm x 2.1 mm
애플리케이션
- 하이 측 로드 스위치
- 스마트폰 USB 포트에서 OVP 보호
- 전원 스위치 회로
- 대기 전원 시스템
게시일: 2024-06-04
| 갱신일: 2024-10-01