Nexperia 74HC1G00/74HCT1G00 2입력 NAND 게이트
Nexperia 74HC1G00 및 74HCT1G00 2입력 NAND 게이트는 광범위한 디지털 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이러한 게이트는 74HC1G00의 경우 2.0~6.0V, 74HCT1G00의 경우 4.5~5.5V로 공급 전압 범위가 넓어 다양한 전압 환경에 적합합니다. 이러한 장치는 높은 잡음 내성과 저전력 손실을 제공하여 복잡한 회로에서도 안정적인 성능을 보장합니다. 입력에는 클램프 다이오드가 포함되어 있어 전류 제한 저항기를 사용하여 공급 전압보다 높은 전압과 인터페이스할 수 있습니다. 이러한 NAND 게이트는 논리 함수, 신호 반전, 타이밍 회로, 제어 논리 및 데이터 저장 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 넓은 공급 전압 범위
- 2 0 V ~ 6 0 V (74HC1G00)
- 4.5 V ~ 5.5 V (74HCT1G00)
- CMOS 저전력 손실
- 입력 레벨
- 74HC1G00의 CMOS 레벨
- 74HCT1G00의 TTL 레벨
- 대칭 출력 임피던스
- 높은 잡음 내성
- JESD78 클래스 II 레벨 B 기준 100mA 초과 래치업 성능
- SOT353-1(TSSOP5), SOT753(SC-74A), SOT8065-1(XSON5) 패키지 옵션
- 균형 잡힌 전파 지연
- ESD 보호
- HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 클래스 2 기준 2,000V 초과
- CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 클래스 C3 기준 1,000V 초과
- JEDEC 표준 준수
- JESD8C: 2.7V ~ 3.6V
- JESD7A(2 0 V~6 0 V)
- -40 °C~+85 °C 및 -40 °C~+125 °C 범위로 지정됨
애플리케이션
- 논리 함수
- 신호 반전
- 타이밍 회로
- 제어 논리
- 데이터 저장
사양
- ±20mA 최소 입력 클램핑 전류
- ±20mA 최대 출력 클램핑 전류
- 최대 출력 전류: ±12.5 mA
- 25 mA 최대 공급 전류
- -25mA 최소 접지 전류
- 250mW 최대 총 전력 손실
기능도
게시일: 2025-04-03
| 갱신일: 2025-04-21