Micron DDR4 SDRAM Memory
Micron DDR4(이중 데이터 전송률 4) SDRAM은 내부적으로 구성된 고속 동적 랜덤 액세스 메모리로 x16 구성을 위한 8뱅크 DRAM 및 x4 및 x8 구성을 위한 16뱅크 DRAM으로 사용됩니다. 이러한 고밀도 장치를 사용하여 시스템 설계자는 동일한 배치 수로 더 많은 사용 가능한 메모리를 활용할 수 있어 시스템의 대역폭이나 지원되는 기능 세트를 늘리는 데 도움이 될 수 있습니다. DDR4 메모리는 설계자가 배치를 적게하면서도 동일한 밀도를 유지할 수 있어 비용 절감에도 도움이 됩니다.
Micron DDR4 SDRAM 메모리는 산업 및 자동차 애플리케이션의 극한 온도 및 성능 요구 사항에 따라 엄격하게 테스트되었습니다.
특징
- 비용/성능/용량 및 최대 3,200Mb/s 데이터 전송 속도에 맞게 최적화
- DDR3에 비해 대역폭 최대 50% 증가
- 1.2V의 낮은 전압 드레인(코어 및 I/O)으로 메모리 전력 요구 감소
- 절전 기능으로 DDR3에 비해 전체 전력 요구사항 35% 감소 가능
- 연결성 테스트 모드를 사용하여 시스템 테스트 중에 조기 오류 감지가 가능하여 디버그 시간을 줄이고 개발 및 생산 비용을 절감 가능
- 최고의 성능과 최저 비용을 위한 센터 본드 패드
- 향상된 데이터 신호 무결성 및 시스템 신뢰성, ODT, DBI, 명령/어드레스 패리티 및 CRC
- 최대 16Gb 단일 다이 밀도 지원
- 다중 순위 패키지 지원
- 최대 4 다이 적층 기능이 있는 대용량 메모리 서브 시스템
- FBGA-78 및 FBGA-98 패키지로 제공
- 작동 온도 옵션
- 0~+95°C
- -40~+95°C
- -40~+105°C
- -40~+125°C
애플리케이션
- 클라우드 서버 및 데이터센터
- 자동차
- 대화식 웰빙 코칭 및 개인화된 건강 모니터링
- 산업용 IoT 및 Industry 4.0
- 게임용 PC
- 에지 및 비디오 감시 서버
DDR4 및 DDR3 비교
유사한 Micron DDR4 메모리
Micron LPDDR4 메모리 장치
성능, 전력, 레이턴시 및 물리적 공간을 결합하여 에너지 효율적으로 작동합니다.
게시일: 2021-11-12
| 갱신일: 2026-02-02