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Microchip Technology TC6321 N 및 P채널 MOSFET 페어

MicrochipTC6321 N 및 P채널 MOSFET 페어는 게이트-소스 저항과 게이트-소스 제너 다이오드 클램프와 통합됩니다. 이 MOSFET 페어는 고전압, 고전류 드라이브 및 빠른 스위칭 속도가 필요한 애플리케이션의 스위칭 및 증폭을 위해 설계되었습니다. 이 TC6321은 MD12xx, MD17xx 또는 MD18xx 초음파 MOSFET 드라이버와 페어링하여 고속 및 고전압 펄서 회로를 형성합니다. TC6321 MOSFET는 -40~150ºC의 온도 범위와 -200~200V의 VDS 범위에서 작동합니다. TC6321 MOSFET 페어는 고급 수직 DMOS 구조와 실리콘 게이트 제조 공정을 활용합니다. 이 조합을 통해 MOS 장치에서 고유의 높은 입력 임피던스 및 정온도계수를 가진 바이폴라 트랜지스터의 전력 처리 기능을 제공합니다.

The Microchip Technology TC6321 N and P-Channel MOSFET Pair utilizes an advanced vertical DMOS structure and the silicon gate manufacturing process. This combination gives the power-handling capabilities of bipolar transistors with high input impedance and positive temperature coefficients inherent in MOS devices.

특징

  • Fast switching speeds
  • Integrated gate-to-source resistor
  • Integrated gate-to-source Zener diode
  • Low threshold
  • Low on-resistance
  • Free from the secondary breakdown
  • Low input capacitance
  • Independent and electrically isolated N and P-channels
  • Low input and output leakage
  • 8-lead 6mm x 5mm VDFN package

애플리케이션

  • High-voltage pulser
  • Amplifiers
  • Buffers
  • Piezoelectric transducer drivers
  • General purpose line drivers
  • Logic-level interfaces
  • Medical ultrasound applications

Typical Application Circuit

Microchip Technology TC6321 N 및 P채널 MOSFET 페어
게시일: 2017-05-29 | 갱신일: 2022-03-11