Microchip MCP6N16 제로 드리프트 계측 증폭기

Microchip MCP6N16
제로 드리프트 계측 증폭기

Microchip의 MCP6N16은 제로 드리프트 계측 증폭기로, DC 성능을 최대화하는 자가 수정 아키텍처를 갖췄습니다. 초저 오프셋, 저 오프셋 드리프트, 뛰어난 공통 모드 및 전력 공급 제거 비율을 제공하는 반면 1/f 잡음 같은 역효과는 제거했기 때문입니다. 이렇게 설계되었기 때문에 시간과 온도 변화에 따라 정확도가 높습니다. MCP6N16의 외장 저항기 2개가 이득을 설정하므로 온도 변화에 따른 이득 오차와 드리프트가 최소화됩니다. 참조 전압(VREF)은 출력 전압(VOUT)을 바꿉니다. 장치마다 입력 핀에 EMI 필터가 있어서 EMIRR(EMI 제거 비율)이 뛰어납니다. 저전력 CMOS 공정 기술이 적용되어 500kHz 대역폭 전체에서 전력 소비량이 적습니다. 하드웨어 인에이블 핀이 추가로 전력 절약 기능을 제공합니다. 적은 전력으로 작동하고 차단되는 MCP6N16의 기능은 적은 전류만 있어도 주어진 속도와 성능을 발휘하므로 배터리 수명이 연장되고 자기 발열도 적습니다. 이에 더해 MCP6N16는 1.8V의 낮은 전압에도 작동하므로 1.5V 건전지 2개만으로 일반적인 사용보다 훨씬 오랫동안 사용할 수 있습니다. 레일 투 레일 입력 및 출력 작동 방식 덕분에 공급 전압이 낮은 조건하에서도 전체 범위에서 사용할 수 있습니다. 따라서 작동 전압 범위 전체에서 뛰어난 성능을 발휘합니다.

MCP6N16 제로 드리프트 계측 증폭기는 센서 인터페이스, 신호 컨디셔닝, 정지 상태와 이동 상태에서 계측 등 고성능, 정밀, 저전력 소비 성능일 결합되어야 하는 애플리케이션에 적합합니다. GMIN(최소 이득) 옵션이 3개(1, 10, 100V/V)인 MCP6N16를 사용하면 상이한 애플리케이션에 입력 오프셋 전압과 입력 잡음을 최적화할 수 있습니다.

특징
  • 높은 DC 정밀도:
    • VOS: ±17μV(최대, GMIN = 100)
    • TC1: ±60nV/°C(최대, GMIN = 100)
    • CMRR: 112dB(최대, GMIN = 100, VDD = 5.5V)
    • PSRR: 110dB(최대, GMIN = 100, VDD = 5.5V)
    • gE: ±0.15%(최대, GMIN = 10, 100)
  • 유연한 성능:
    • GMIN(최소 이득) 옵션: 1, 10,  100V/V
    • 레일 투 레일 입출력
    • 외장 저항기 2개로 이득 설정
  • 대역폭: 500kHz(이득 = GMIN = 1, 10)
  • 전력 공급:
    • VDD: 1.8~5.5V
    • IQ: 1.1mA(일반)
    • 전력 절약(인에이블) 핀: EN

  • EMI 보호 성능 향상:
    • EMIRR(EMI 제거 비율): 2.4GHz에서 111dB
  • 온도 범위 확대: -40~+125°C

응용 분야
  • 하이사이드 전류 센서
  • 휘트스톤 브리지 센서
  • 차동 증폭기(레벨 변환 기능 제공)
  • 전력 제어 루프
일반 애플리케이션 회로
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  • Microchip Technology
게시일: 2014-08-28 | 갱신일: 2022-03-11