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Microchip Technology AT28C256 256K EEPROM 메모리

Microchip AT28C256 256K EEPROM 메모리 장치는 고성능 EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read-only Memory)입니다. EEPROM 256K 메모리는 32,768워드 x 8비트로 구성됩니다. 이 장치는 Atmel의 고급 비휘발성 CMOS 기술로 제조되며, 액세스 시간은 150ns, 전력 손실은 440mW입니다. AT28C256 메모리 장치는 외부 구성요소를 사용할 필요 없이 읽기 또는 쓰기 사이클에 대해 정적 RAM과 같이 액세스됩니다. 이 AT28C256 장치에는 동시에 최대 64바이트를 쓸 수 있도록 64바이트 페이지 레지스터가 있습니다. EEPROM 장치는 내구성 강화와 데이터 보존 특성 향상을 위해 내부 오류 보정 기능을 활용합니다. 

옵션으로 제공되는 소프트웨어 데이터 보호 메커니즘을 사용하여 계획에 없는 쓰기를 방지할 수 있습니다. 이 AT28C256 장치에는 장치 식별 또는 추적을 위한 64바이트 EEPROM도 추가로 포함됩니다.

특징

  • 150ns의 빠른 읽기 액세스 시간
  • 자동 페이지 쓰기 작업:
    • 64바이트용 내부 주소 및 데이터 래치
    • 내부 제어 타이머
  • 빠른 쓰기 사이클 시간:
    • 페이지 쓰기 사이클 시간 3ms 또는 10ms(최대)
    • 1~64바이트 페이지 쓰기 작업
  • 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호
  • 쓰기 감지 종료를 위한 DATA 폴링
  • 고신뢰성 CMOS 기술:
    • 104 또는 105회의 사이클 내구성
    • 10년간 데이터 보존
  • CMOS 및 TTL 호환 입력 및 출력
  • JEDEC 승인 바이트 와이드 핀아웃
  • 전체 군사 및 산업용 온도 범위
  • 그린(무연/무할로겐화물) 패키징 옵션

사양

  • 단일 5V ±10% 전원
  • 낮은 전력 손실:
    • 유효 전류 50mA
    • CMOS 대기 전류 200µA
  • (최소) 입력 고전압(VIH) 2V
  • (최소) 출력 고전압(VOH) 2.4V

블록 선도

블록 선도 - Microchip Technology AT28C256 256K EEPROM 메모리
게시일: 2018-01-04 | 갱신일: 2022-09-23