MACOM CGH09120F GaN 고전자 이동도 트랜지스터
Wolfspeed Cree CGH09120F GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)는 높은 효율, 높은 이득 및 넓은 대역폭 성능을 위해 설계되었습니다. 이 GaN HEMT는 높은 수준의 DPD 보정을 적용할 수 있으므로 MC-GSM, WCDMA 및 LTE 증폭기 애플리케이션에 이상적입니다. 이 트랜지스터는 세라믹/금속 플랜지 패키지에 들어 있습니다.
특징
- UHF to 2.5GHz operation
- 21dB gain
- -38dBc ACLR at 20W PAVE
- 35% efficiency at 20W PAVE
- High degree of DPD correction can be applied
- Ceramic/metal flange package
애플리케이션
- MC-GSM
- WCDMA
- LTE amplifiers
게시일: 2017-10-06
| 갱신일: 2024-01-19