IXYS X4-Class 전력 MOSFET
IXYS X4-Class 전력 MOSFET은 향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다. 이 전력 MOSFET은 PLUS 패키지로 제공되므로 더 높은 공칭 전류 정격과 증가된 전력 밀도를 지원합니다. X4-Class 전력 MOSFET은 표준 TO-247 패키지와 핀 호환되며 더 높은 전력 출력을 위해 기존 설계에서 쉽게 업그레이드할 수 있습니다. 이 전력 MOSFET은 낮은 게이트 전하와 낮은 열 저항이 특징입니다. 일반적으로 DC 로드 스위치, 배터리 보호, 배터리 OR-ing, 배터리 에너지 저장 시스템 및 DC/DC 벅 부스트 컨버터에 사용됩니다.
특징
- 저온 상태 저항
- 고공칭 전류 정격
- 낮은 게이트 전하
- 낮은 열 저항
- 저전도 손실 및 개선된 효율성
- 부품 수 감소로 병렬 연결 작업 최소화
- 간소화된 드라이버 설계
- 간소화된 열 설계
- N채널 증가 모드
- 애버랜치 등급
- 더 높은 공칭 전류 정격과 증가된 전력 밀도를 지원하는 PLUS 패키지
- 표준 TO-264 패키지의 핀 호환성
- 더 높은 전력 출력용으로 기존 설계 장치의 간편한 업그레이드
애플리케이션
- DC 부하 스위치
- 배터리 보호
- 배터리 오링
- 배터리 에너지 저장 시스템
- DC/DC 벅 부스트 컨버터
사양
- 25°C~175°C 범위에서 200V 드레인-소스 전압
- 게이트-소스 전압:
- ±20 V(연속)
- ±30V 과도 전류
- 160A 단자 RMS 전류
- 드레인 전류:
- 25°C에서 400A(IXTX400N20X4)
- 25°C에서 500A(IXTB500N20X4)
- 보관 온도 범위: -55 ~ 175 °C
핀배치 다이어그램
데이터시트
관련 MOSFET
IXYS 초접합 MOSFET
저인덕턴스 업계 표준 패키지에서 낮은 RDS(on) 및 낮은 Qg가 특징입니다.
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| 부품 번호 | 하강 시간 | Pd - 전력 발산 | Qg - 게이트 전하 | Rds On - 드레인 소스 저항 | 상승 시간 | 표준 턴-오프 지연 시간 | 표준 턴-온 지연 시간 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTB500N20X4 | 485 ns | 1.56 kW | 535 nC | 2.65 mOhms | 560 ns | 600 ns | 200 ns |
| IXTX400N20X4 | 370 ns | 1.36 kW | 348 nC | 3.3 mOhms | 480 ns | 430 ns | 150 ns |
게시일: 2025-12-26
| 갱신일: 2026-02-02