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게이트 전하가 낮은 고효율, 고속 전력 스위칭 애플리케이션용입니다.
N-채널 강화 모드를 사용하는 애벌랜치 등급 고속 진성 다이오드입니다.
저항 RDS(on) 및 게이트 전하량 Qg가 상당히 감소된 상태로 제공되는 전력 MOSFET입니다.