IXYS LSIC1MO170E0750 N-채널 SiC MOSFET
IXYS LSIC1MO170E0750은 고주파 및 고효율 애플리케이션에 맞게 최적화된 750mΩ N-채널 SiC(탄화 규소) MOSFET입니다. 낮은 게이트 저항과 매우 낮은 온 상태 저항 덕분에 고주파 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. 이 장치는 매우 낮은 게이트 전하량 및 출력 정전용량 그리고 모든 온도에서 정상인 오프 작동이 특징입니다. IXYS LSIC1MO170E0750은 스위치 모드 전원 공급 장치, 태양광 인버터, UPS 시스템, 고전압 DC-DC 변환기 등과 같은 고주파 스위칭을 활용하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다.
특징
- 고주파 및 고효율 애플리케이션에 맞게 최적화됨
- 극히 낮은 게이트 전하량과 출력 정전용량
- 고주파 스위칭을 위한 낮은 게이트 저항
- 모든 온도에서 정상 오프 작동
- 초저 온 상태 저항
애플리케이션
- 고주파 애플리케이션
- 태양광 인버터
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- UPS(무정전 전원 공급 장치)
- 모터 드라이브
- 고전압 DC-DC 변환기
- 배터리 충전기
- 유도 가열
사양
- 1,700VDS
- 최대 6.2A의 연속 드레인 전류
- 29Ω 게이트 저항
- 750mΩ RDS(ON)
- 최대 60W의 전력 손실
- -5VDC~+20VDC 권장 게이트-소스 전압, -6VDC~+22VDC(최대)
치수 및 핀아웃
관련 MOSFET
Littelfuse SiC MOSFET
고주파, 고효율 애플리케이션에 최적화.
게시일: 2021-06-08
| 갱신일: 2022-03-11