IXYS N-채널 MOSFET 및 IGBT용 게이트 드라이버

N-채널 MOSFET 및 IGBT용 IXYS 게이트 드라이버는 고전압 고속 게이트 드라이버 및 3상 게이트 드라이버 IC를 포함합니다. 이 장치는 하프 브리지 구성 또는 하이 사이드/로우 사이드 구성에서 2개의 N-채널 MOSFET 또는 IGBT를 구동하도록 설계되었습니다. 고전압 기술을 사용하면 하이 사이드가 부트스트랩 작동 시 600V로 전환될 수 있습니다. 이 드라이버는 최소 드라이버 교차 전도를 위해 설계된 높은 펄스 전류 버퍼를 제공합니다. 다른 기능으로는 3.3V 기능이 있는 논리 입력, 슈미트 트리거 논리 입력 및 UVLO (저전압 차단) 보호가 있습니다. N-채널 MOSFET 및 IGBT용 IXYS 게이트 드라이버는 -40°C ~ +125°C의 확장된 온도 범위에서 작동합니다.