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IXYS 1,700V XPT™ 고전압 IGBT

IXYS 1,700V XPT™(eXtreme-light Punch Through) IGBT는 고전압, 고속 전력 변환 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 독점적인 씬 웨이퍼 XPT™ 기술을 사용하여 개발된 이 IGBT는 감소된 열 저항, 낮은 테일 전류, 낮은 에너지 손실 및 고속 스위칭 기능을 제공합니다. 이 장치는 온 상태 전압의 정온도계수를 나타내므로 설계자가 IGBT를 병렬로 사용할 수 있습니다. 이 기능을 통해 연관된 게이트 드라이브 회로를 축소하고 설계를 간소화하고 전체적인 시스템 신뢰성을 개선할 수 있습니다. 함께 포함된 고속 복구 다이오드는 낮은 역방향 회복 시간을 제공합니다. 고속 복구 다이오드는 부드러운 스위칭 파형과 상당히 낮은 EMI(전자기 간섭)를 위해 최적화되어 있습니다.

The devices' positive temperature coefficient of the on-state voltage enables designers to use the IGBTs in parallel. This capability allows a reduction in the associated gate drive circuitry, a simpler design, and an improvement in overall system reliability.

The co-packed fast recovery diodes offer low reverse recovery times. The fast recovery diodes are optimized for smooth switching waveforms and significantly lower electromagnetic interference (EMI).

특징

  • Thin wafer XPT technology
  • Low on-state voltages VCE (sat)
  • Co-packed fast recovery diodes
  • Positive temperature coefficient of VCE (sat)
  • International standard size high-voltage packages
  • High efficiency
  • Elimination of multiple series-connected devices
  • Increased reliability of power systems
  • High voltage package
  • High blocking voltage
  • Low saturation voltage
  • Low gate drive requirement
  • High power density

애플리케이션

  • Switch-mode and resonant-mode power supplies
  • High-voltage power supplies
  • High-voltage test equipment
  • Uninterruptible power supplies (UPS)
  • Laser and X-ray generators
  • Capacitor-discharge circuits
  • AC switches
게시일: 2017-07-10 | 갱신일: 2022-03-29