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Infineon Technologies SSI(솔리드 스테이트 아이솔레이터)

Infineon Technologies SSI(솔리드 스테이트 아이솔레이터)는 SSR(솔리드 스테이트 계전기) 애플리케이션에서 다양한 MOSFET 및 IGBT 스위치를 위한 갈바닉 절연 게이트 드라이브를 제공합니다. 이 장치를 사용하면 1,000V 및 100A에서 로드 장치를 제어할 수 있는 맞춤형 솔리드 스테이트 계전기를 생성할 수 있습니다. CT(코어리스 변압기) 기반 아이솔레이터는 절연 장벽을 통해 에너지를 전송할 수 있고 절연 측에 전원 공급 장치의 추가 회로 없이 큰 MOSFET 또는 IGBT를 구동할 수 있습니다. 혁신적인 보호 기능을 통해 안정적이고 견고한 SSR을 설계할 수 있습니다.

인피니언의 이러한 SSI는 갈바닉 절연 장벽을 통해 강력한 에너지 전송을 제공하여 CoolMOS™, OptiMOS™, CoolSiC™ 또는 TRENCHSTOP™ IGBT와 같은 MOS 제어 전력 트랜지스터의 게이트를 구동합니다. 솔리드 스테이트 아이솔레이터 제품군의 출력 측에는 전력 트랜지스터의 게이트를 구동하기 위한 전용 전압 공급이 필요하지 않습니다. 출력측에서는 빠른 턴온, 빠른 턴오프, 과전류 보호 및 과열 보호와 같은 고급 제어 기능을 제공하여 다양한 애플리케이션을 위한 솔리드 스테이트 계전기를 쉽고 안전하게 구축합니다. 이 제품군에는 통합 온도 센서를 제공하는 CoolMOS™ S7 T-Sense 전력 MOSFET용으로 맞춤 설계된 iSSI30R12H가 포함되어 있습니다. 제품군의 다른 부품은 외부 PTC 저항기와 함께 사용됩니다.

비용 효율적인 시스템 구축을 위해 정밀한 보호 기능이 제공됩니다. 아이솔레이터의 입력측은 3.3V와 호환되고 16mA(표준)의 공급 전류로 작동합니다. iSSI20R02H, iSSI20R03H 및 iSSI20R11H 변형 제품은 DSO-8-66 패키지로 제공되며, iSSI30R11H 및 iSSI30R12H는 DSO-16-33 패키지로 제공됩니다.

특징

  • Infineon의 코어리스 변압기 기술을 사용하는 솔리드 스테이트 아이솔레이터
  • 게이트 구동에는 절연 게이트 바이어스 전원이 필요하지 않음
  • CoolMOS, OptiMOS 및 TRENCHSTOP IGBT와 완벽한 조합
  • 저전력, 2.6V ~ 3.5V의 넓은 입력 전압 범위(내부 클램핑)
  • 고임피던스, CMOS입력(버퍼링된 변형 제품)
  • 최대 18V 출력 전압, 강력한 게이트 구동에 직렬 또는 병렬 구성이 필요하지 않음
  • 고출력 피크 전류
    • 185µA(직접 구동 변형 제품)
    • 400mA(버퍼링된 변형 제품)
  • 안전 스위치의 SOA 작동을 위한 빠른 턴온/턴오프
  • 최대 5.7kVRMS 갈바닉 절연
  • 온도 센서 및 전류 센서 보호 입력
  • 고장 발생 시 래치 오프(과전류 또는 과열)
  • 동적 밀러 클램핑 보호
  • UL 1577(예정)에 따른 높은 연면 거리 및 간극과 IEC 60747-17(예정)에 따른 강화 절연을 갖춘 와이드 바디 패키지
  • 히트싱크의 필요성 최소화
  • 스퓨리어스 접점 턴온 제거

애플리케이션

  • 솔리드 스테이트 계전기 AC 및 DC 애플리케이션
  • 전자 기계 계전기 교체
  • 프로그래밍 가능 로직 제어, 산업 자동화 및 제어
  • 스마트 빌딩 및 홈 자동화 시스템(자동 온도 조절 장치, 조명, 난방 제어)
  • 계측 장비

사양

  • 최대 입력-출력 오프셋 전압: ±1200V
  • 최대 입력 공급 전압: -10V ~ 4.25V
  • 최대 입력 로직 전압: -10V ~ 15V
  • 최대 입력 공급 전류: 0mA ~ 120mA
  • 최대 전력 손실 입력 부품: 200mW
  • 최대 전력 손실 출력 부품: 4.5mW
  • 최대 스위칭 주파수: 2kHz
  • 최대 공통 모드 과도 내성: 200V/ns
  • -40~125°C 주변 온도 범위
  • -40~+150°C 접합 온도 범위
  • ESD 견고성
    • 최소 HBM(인체 모델)2kV
    • ANSI/ESDA/JEDEC-JS-002-2014에 따른 TC 1000 CDM(대전 소자 모델) (TC = AEC-Q100-011 Rev D에 따라 통과된 최고 테스트 조건)

비디오

개발 도구

Infineon Technologies EVAL-iSSI30R11H 평가 보드

SSI 솔리드 스테이트 아이솔레이터를 평가하고 CoolMOSTM™ IPQC60R010S7 MOSFET 2개를 갖추고 있습니다.

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Infineon Technologies EVAL-iSSI30R12H 평가 보드

애플리케이션 회로에서 SSI 코어리스 변압기 솔리드 스테이트 아이솔레이터 SSI30R12H를 평가합니다.

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게시일: 2024-03-11 | 갱신일: 2025-10-31